设备 | 主要特点 | 关键价值 |
单端振荡器 SiT8944 1 至 60 MHz SiT8945 60 至 220 MHz |
在温度范围内±10 ppm 至 ±50 ppm 的频率稳定性 -55°C 至 105°C 0.1 ppb/g 频率稳定性 低抖动:< 0.5 ps RMS 1.8 V、2.5 V、3.3 V |
更好的频率和抖动裕量增强了系统的稳定性和稳健性 轻松使用任何设备配置 将振荡器的 EMI 降至最低 |
差分晶体振荡器 SiT9346 1 至 220 MHz SiT9347 220 至 725 MHz |
低抖动:0.23 ps RMS LVPECL、LVDS、HCSL 2.5 至 3.3 V -40°C 至 105°C 3.2 x 2.5 mm 封装 |
满足苛刻的抖动要求 PCB 占用空间小,布局更轻松 由于灵活性,设计简单 MEMS 可靠性 |
DCXO SiT3541 1 至 220 MHz SiT3542 220 至 625 MHz |
数字频率控制:I2C/SPI 接口 ±3200 ppm 拉力范围 5 ppt 分辨率 在温度范围内±10 ppm 至 ±50 ppm 的频率稳定性 |
无需外部 DAC 来控制 VCXO 由于数字控制,精度更高,噪声更低 |
超级 TCXO SiT5146 1 至 60 MHz SiT5147 1 至 60 MHz |
±0.5 至 ±2.5 ppm 稳定性 ±15 ppb/°C 频率斜率 0.009 ppb/g 加速度灵敏度 -55°C 至 105°C |
在冲击和振动下极其稳定 振动下相位噪声无变化 最大限度地减少由于冲击、振动或温度变化而导致的链节脱落 我2C/SPI 数字控制可加快设计速度 |
超级 TCXO SiT5346 1 至 60 MHz SiT5347 60 至 220 MHz |
±0.1 至 ±0.25 ppm 稳定性 ±1 ppb/°C 0.009 ppb/g 加速度灵敏度 -40°C 至 105°C |
在冲击和振动下极其稳定 振动下相位噪声无变化 最大限度地减少由于冲击、振动或温度变化而导致的链节脱落 我2C/SPI 数字控制可加快设计速度 |
超级TCXO晶振 SiT5348 1 至 60 MHz 立即购买 SiT5349 60 至 220 MHz |
±50 ppb 稳定性 ±1 ppb/°C 0.009 ppb/g 加速度灵敏度 -40°C 至 105°C |
在冲击和振动下极其稳定 振动下相位噪声无变化 最大限度地减少由于冲击、振动或温度变化而导致的链节脱落 我2C/SPI 数字控制可加快设计速度 |