IQOV-71是一款微型,高度集成的恒温晶体振荡器,编码LFSPXO059271RL3K,OCXO晶振

烤箱控制晶体振荡器(OCXO)可提供终极压电性能，稳定性低至 ±1ppb。OCXO晶振提供的频率稳定性甚至比TCXO提供的更严格。通过在烘箱中加热晶体并因此将石英的温度保持在固定点，可以减少由于温度变化引起的石英晶体的频率漂移。传统上，这项技术意味着具有高功耗的物理大型设备，但我们的最新型号包括一些世界上最小的OCXO。我们的低相位噪声OCXO在1MHz偏移下可提供低至-182dBc/Hz 的出色相位噪声性能。
作为Rakon的前一个部门，IQD晶振作为全球渠道合作伙伴保持着密切的合作伙伴关系，为Rakon提供广泛的高稳定性OCXO。Rakon在为电信、太空和国防市场创建标准和定制的炉控晶体振荡器(OCXO)解决方案方面拥有丰富的经验。
IQD的OCXO系列包括高达100MHz的频率，并提供多种封装尺寸、电源电压和输出可供选择。我们专注于提供适合特定应用的定制服务。
IQOV-71是一款微型、高度集成的恒温晶体振荡器，编码LFSPXO059271RL3K，OCXO晶振，提供与传统OCXOs相当的稳定性，超微型尺寸9.7x7.5mmSMD封装。 
特点: 小外形尺寸-20至70℃温度范围内的频率稳定性低至10ppb低功耗,高可靠性，恒温晶振
应用: 基站，广播，通信，使用仪器，微波，卫星通信，时间和频率参考，微微蜂窝
频率：5.0MHz至50.0MHz
频率容差:500.00ppb
耐受条件:在25℃±2℃时
频率稳定性；10.00至100.00ppb
开发频率:10.0，12.80MHz，19.20MHz，20.0MHz，24.5760MHz，25.0MHz，30.720MHz，30.880MHz，40.0MHz、49.1520MHz和50.0MHz
回流偏移:回流前至回流后δF(回流后≥ 60分钟测量):1ppm
静止空气中温度范围内的频率稳定性，参考(Fmax+Fmin)/2
电源电压变化(5%变化，频率≤ 26MHz):典型值10ppb
老化:每天最大2ppb(连续运行30天后)
第一年最大1ppm，10年最大3ppm

电气参数：

频率斜率:(温度上升1°C/分钟):最大2 ppb/°C
电源电压工作范围:2.7至5.5V
振荡器将在此范围内继续工作，但可能达不到规定的性能。
标准可用标称电源电压为3.3和5.0V，也可能提供其他标称电源电压
如有要求，请联系我们的销售办事处。
负载变化(5pF变化，频率≤26MHz):典型值10ppb
25°C时的预热时间(1小时后频率在20ppb范围内所需的时间，参考频率)
25°c。参数取决于频率、装配和操作历史):< 3分钟
功耗:
预热:≤0.8W (ref -20至70°C设备)
预热:≤1.0W (ref -40至85°C设备)
25°C时的稳态:≤0.35W(静止空气)(ref -20至70°C设备)
25°C时的稳态:≤0.4W(静止空气)(ref -40至85°C设备)

频率调节(可选):
控制电压:1.5V±1.0V
频率调谐范围:典型值5 ppm(ref VC = 1.5V)
线性度:最大1%(参考MIL-PRF-55310)
斜率:正+8ppm/V典型值
输入阻抗:最小80k
调制带宽:典型值3.5kHz
无控制电压:固定频率
注意:控制电压的GND需要直接连接到焊盘2，因为接地引线阻抗可能
导致性能下降。

工作温度范围：-20至70摄氏度，-40至85摄氏度
输出详细信息：输出兼容性h CMOS/限幅正弦
削波正弦输出(在最小电源电压下):0.8V峰峰值最小值，1.1V典型值
HCMOS输出详情:
低输出(Vol):最大10%
高输出(Voh): 90%最小值
占空比(@ 50%水平):最大45/55%
射频时间(10-90%):最大4ns
负载:典型值15pF，最大值30pF
噪声参数：
12.8MHz时的相位噪声(典型值):–70分贝/赫兹(1Hz时)，

–96 DBC/Hz @ 10Hz，

–123分贝/赫兹(100赫兹)，

–143分贝/赫兹(1千赫兹)
–10k Hz时为152dBc/Hz
–100 khz时为153dBc/Hz
–154 DBC/Hz @ 1 MHz
艾伦方差根(25°C时为20MHz):
τ= 0.1s(典型7E-11)
τ= 1.0s(典型7E-11)
τ= 10s(典型7E-11)
τ= 100s(典型8E-11)
τ= 1000s(典型8E-11)
环境参数：G灵敏度(所有三个轴的伽马矢量从30Hz到1500Hz): <2ppb/G(典型值)
储存温度范围:-55至125摄氏度
电击:IEC 60068-2-27，测试Ea:1500克，持续时间0.5毫秒，共18次电击
振动:IEC 60068-2-6，测试Fc: 20G，60Hz-2000Hz，共12小时
可焊性:JESD-22-B102D，方法2:预处理150°C，16小时
湿度:EIA/JEDEC-22-A101:85°C/85% RH，1000小时
加速度稳态:IEC 60068-2-7，测试Ga: 5000G，峰值加速度时10秒，仅Y轴
温度循环:IEC 60068-2-14，测试Na: 400次循环，-40至+125°C
制造细节：焊接:IPC/JEDEC J-STD-020C，封装峰值回流温度250°C
Ni上的RoHS终端Au
RoHS回流250°C，最长30秒