501EAA48M0000CAF,Si501,Silicon存储应用晶振,3225mm振荡器

501EAA48M0000CAF,Si501,Silicon存储应用晶振,3225mm振荡器，美国进口晶振，Silicon晶振，型号：Si501，编码为：501EAA48M0000CAF，电压：1.7V-3.6V，精度：±50ppm，频率：48MHz，工作温度范围：-20℃至+70℃，小体积晶振尺寸：3.2x2.5x0.9mm封装，四脚贴片晶振，有源晶振，石英晶振，石英晶体振荡器。具有超小型，轻薄型，高精度，高性能，高品质等特点。应用程序：存储（SATA/SAS/PCIe），通用处理器，工业控制器，嵌入式控制器，机控制，流量控制，办公室/家庭自动化，IP摄像头/监控，显示和控制面板，户外电子设备，多功能打印机等。

501EAA48M0000CAF,Si501,Silicon存储应用晶振,3225mm振荡器，美国进口晶振，Silicon晶振，型号：Si501，编码为：501EAA48M0000CAF，电压：1.7V-3.6V，精度：±50ppm，频率：48MHz，工作温度范围：-20℃至+70℃，小体积晶振尺寸：3.2x2.5x0.9mm封装，四脚贴片晶振，有源晶振，石英晶振，石英晶体振荡器。具有超小型，轻薄型，高精度，高性能，高品质等特点。应用程序：存储（SATA/SAS/PCIe），通用处理器，工业控制器，嵌入式控制器，机控制，流量控制，办公室/家庭自动化，IP摄像头/监控，显示和控制面板，户外电子设备，多功能打印机等。
有源晶体Si501 CMEMS振荡器系列为传统的石英晶体振荡器提供了单片的，基于mems的IC替代品。硅实验室的CMEMS技术将标准CMOS+MEMS结合在一个单片IC集成电路中，提供集成、高质量和高可靠性的振荡器。每个设备都经过工厂测试和配置，以保证其在电压、工艺、温度、冲击、振动和老化等方面的性能。

501EAA48M0000CAF,Si501,Silicon存储应用晶振,3225mm振荡器,参数表

Parameter

Symbol

Test Condition

Min

Typ

Max

Unit

Frequency Range

FCLK

48

MHz

Clock Period

TCLK

1/FCLK

31,250

—

10

ns

Total Stability1

FSTAB

–20

—

+20

ppm

–30

—

+30

ppm

–50

—

+50

ppm

Initial Accuracy

FI

Measured at 25。C at the time of shipping

—

±2

—

ppm

Startup Time2

TSU

From VDDcrossing 1.71 V to first clock output

—

2.5

4

ms

Resume Time3,4

TRUN

From Sleep mode

—

2.5

5

ms

From Doze mode

—

1.7

2.55

ms

From Stop mode5

—

—

1.5 x TCLK+ 35

ns

Output Disable Time3,4

TD

To Sleep/Doze mode, from output running

—

—

225

µs

To Stop, from output running

—

—

1.5 x TCLK+ 35

ns

Frequency Update Time4,6

TNEW_FREQ

—

—

5

ms

501EAA48M0000CAF,Si501,Silicon存储应用晶振,3225mm振荡器,尺寸图

原厂代码	进口晶振	型号	频率	电压	频率稳定度
501AAA27M0000DAF	Silicon晶振	Si501	27MHz	1.7 V ~ 3.6 V	±50ppm
501AAA27M0000DAG	Silicon晶振	Si501	27MHz	1.7 V ~ 3.6 V	±50ppm
501JCA100M000CAG	Silicon晶振	Si501	100MHz	3.3V	±20ppm
501JCA100M000BAG	Silicon晶振	Si501	100MHz	3.3V	±20ppm
501JAA24M0000DAF	Silicon晶振	Si501	24MHz	3.3V	±50ppm
501BAA16M0000DAF	Silicon晶振	Si501	16MHz	3.3V	±50ppm
501JAA24M0000CAF	Silicon晶振	Si501	24MHz	3.3V	±50ppm
501AAA27M0000CAF	Silicon晶振	Si501	27MHz	1.7 V ~ 3.6 V	±50ppm
501AAA25M0000BAF	Silicon晶振	Si501	25MHz	1.7 V ~ 3.6 V	±50ppm
501JAA40M0000CAF	Silicon晶振	Si501	40MHz	3.3V	±50ppm
501AAA24M0000BAF	Silicon晶振	Si501	24MHz	1.7 V ~ 3.6 V	±50ppm
501EAA48M0000CAF	Silicon晶振	Si501	48MHz	1.7 V ~ 3.6 V	±50ppm
501AAA27M0000BAF	Silicon晶振	Si501	27MHz	1.7 V ~ 3.6 V	±50ppm
501EAA48M0000BAF	Silicon晶振	Si501	48MHz	1.7 V ~ 3.6 V	±50ppm
501JAA25M0000BAF	Silicon晶振	Si501	25MHz	3.3V	±50ppm
501BAA50M0000BAF	Silicon晶振	Si501	50MHz	3.3V	±50ppm
501AAA50M0000CAF	Silicon晶振	Si501	50MHz	1.7 V ~ 3.6 V	±50ppm
501EAA48M0000DAG	小体积晶振	Si501	48MHz	1.7 V ~ 3.6 V	±50ppm
501AAA25M0000DAG	Silicon晶振	Si501	25MHz	1.7 V ~ 3.6 V	±50ppm
501HCA27M0000DAF	Silicon晶振	Si501	27MHz	1.7 V ~ 3.6 V	±20ppm
501ABA8M00000BAF	Silicon晶振	Si501	8MHz	1.7 V ~ 3.6 V	±30ppm
501HCA12M0000DAF	Silicon晶振	Si501	12MHz	1.7 V ~ 3.6 V	±20ppm
501JCA24M0000DAF	Silicon晶振	Si501	24MHz	3.3V	±20ppm
501AAA24M0000BAG	Silicon晶振	Si501	24MHz	1.7 V ~ 3.6 V	±50ppm
501BCA16M0000BAF	Silicon晶振	Si501	16MHz	3.3V	±20ppm
501JCA24M0000CAF	Silicon晶振	Si501	24MHz	3.3V	±20ppm
501HCA26M0000BAF	Silicon晶振	Si501	26MHz	1.7 V ~ 3.6 V	±20ppm
501JAA25M0000BAG	Silicon晶振	Si501	25MHz	3.3V	±50ppm
501BCA16M0000CAF	Silicon晶振	Si501	16MHz	3.3V	±20ppm
501EAA48M0000CAG	Silicon晶振	Si501	48MHz	1.7 V ~ 3.6 V	±50ppm
501BAA16M0000BAG	Silicon晶振	Si501	16MHz	3.3V	±50ppm
501BAA16M0000CAG	Silicon晶振	Si501	16MHz	3.3V	±50ppm
501JAA24M0000BAG	Silicon晶振	Si501	24MHz	3.3V	±50ppm
501AAA27M0000BAG	Silicon晶振	Si501	27MHz	1.7 V ~ 3.6 V	±50ppm