501JCAM032768CAF,Si501,32.768kHz,Silicon通用处理器晶振

501JCAM032768CAF,Si501,32.768kHz,Silicon通用处理器晶振，美国进口晶振，Silicon晶振，型号：Si501，编码为：501JCAM032768CAF，电压：3.3V，精度：±20ppm，频率：32.768K晶振，小体积晶振尺寸：3.2x2.5x0.9mm封装，工作温度范围：-20℃至+70℃，四脚贴片晶振，有源晶振，石英晶振，石英晶体振荡器。具有超小型，轻薄型，高精度，高性能，高品质等特点。应用程序：存储（SATA/SAS/PCIe），通用处理器，工业控制器，嵌入式控制器，机控制，流量控制，办公室/家庭自动化，IP摄像头/监控，显示和控制面板，户外电子设备，多功能打印机等。

501JCAM032768CAF,Si501,32.768kHz,Silicon通用处理器晶振，美国进口晶振，Silicon晶振，型号：Si501，编码为：501JCAM032768CAF，电压：3.3V，精度：±20ppm，频率：32.768K晶振，小体积晶振尺寸：3.2x2.5x0.9mm封装，工作温度范围：-20℃至+70℃，四脚贴片晶振，有源晶振，石英晶振，石英晶体振荡器。具有超小型，轻薄型，高精度，高性能，高品质等特点。应用程序：存储（SATA/SAS/PCIe），通用处理器，工业控制器，嵌入式控制器，机控制，流量控制，办公室/家庭自动化，IP摄像头/监控，显示和控制面板，户外电子设备，多功能打印机等。
Si501 CMEMS振荡器系列为传统的石英晶体振荡器提供了单片的，基于mems的IC替代品。硅实验室的CMEMS技术将标准CMOS+MEMS结合在一个单片IC集成电路中，提供集成、高质量和高可靠性的振荡器。每个设备都经过工厂测试和配置，以保证其在电压、工艺、温度、冲击、振动和老化等方面的性能。

501JCAM032768CAF,Si501,32.768kHz,Silicon通用处理器晶振,参数表

Parameter

Symbol

Test Condition

Min

Typ

Max

Unit

Frequency Range

FCLK

32.768

KHz

Clock Period

TCLK

1/FCLK

31,250

—

10

ns

Total Stability1

FSTAB

–20

—

+20

ppm

–30

—

+30

ppm

–50

—

+50

ppm

Initial Accuracy

FI

Measured at 25。C at the time of shipping

—

±2

—

ppm

Startup Time2

TSU

From VDDcrossing 1.71 V to first clock output

—

2.5

4

ms

Resume Time3,4

TRUN

From Sleep mode

—

2.5

5

ms

From Doze mode

—

1.7

2.55

ms

From Stop mode5

—

—

1.5 x TCLK+ 35

ns

Output Disable Time3,4

TD

To Sleep/Doze mode, from output running

—

—

225

µs

To Stop, from output running

—

—

1.5 x TCLK+ 35

ns

Frequency Update Time4,6

TNEW_FREQ

—

—

5

ms

501JCAM032768CAF,Si501,32.768kHz,Silicon通用处理器晶振,尺寸图

原厂代码	晶振厂家	型号	频率	电压	频率稳定度
501HCAM032768BAF	Silicon晶振	Si501	32.768kHz	1.7 V ~ 3.6 V	±20ppm
501BCAM032768DAG	Silicon晶振	Si501	32.768kHz	3.3V	±20ppm
501JCAM032768DAG	Silicon晶振	Si501	32.768kHz	3.3V	±20ppm
501JCAM032768DAF	Silicon晶振	Si501	32.768kHz	3.3V	±20ppm
501HCAM032768DAF	Silicon晶振	Si501	32.768kHz	1.7 V ~ 3.6 V	±20ppm
501JCAM032768CAF	Silicon晶振	Si501	32.768kHz	3.3V	±20ppm
501BCAM032768BAF	Silicon晶振	Si501	32.768kHz	3.3V	±20ppm
501BCAM032768CAF	Silicon晶振	Si501	32.768kHz	3.3V	±20ppm
501BCAM032768CAG	Silicon晶振	Si501	32.768kHz	3.3V	±20ppm
501BCAM032768BAG	Silicon晶振	Si501	32.768kHz	3.3V	±20ppm
501BCAM032768DAF	Silicon晶振	Si501	32.768kHz	3.3V	±20ppm
501JCAM032768BAF	Silicon晶振	Si501	32.768kHz	3.3V	±20ppm
501JCAM032768BAG	Silicon晶振	Si501	32.768kHz	3.3V	±20ppm
501JCAM032768CAG	Silicon晶振	Si501	32.768kHz	3.3V	±20ppm
501HCAM032768BAG	Silicon晶振	Si501	32.768kHz	1.7 V ~ 3.6 V	±20ppm
501HCAM032768CAF	Silicon晶振	Si501	32.768kHz	1.7 V ~ 3.6 V	±20ppm
501HCAM032768CAG	Silicon晶振	Si501	32.768kHz	1.7 V ~ 3.6 V	±20ppm
501HCAM032768DAG	Silicon晶振	Si501	32.768kHz	1.7 V ~ 3.6 V	±20ppm
501BCAM032768BAFR	有源晶体	Si501	32.768kHz	3.3V	±20ppm
501BCAM032768BAGR	Silicon晶振	Si501	32.768kHz	3.3V	±20ppm
501BCAM032768CAFR	Silicon晶振	Si501	32.768kHz	3.3V	±20ppm
501BCAM032768CAGR	Silicon晶振	Si501	32.768kHz	3.3V	±20ppm
501BCAM032768DAFR	Silicon晶振	Si501	32.768kHz	3.3V	±20ppm
501BCAM032768DAGR	Silicon晶振	Si501	32.768kHz	3.3V	±20ppm
501JCAM032768BAFR	Silicon晶振	Si501	32.768kHz	3.3V	±20ppm
501JCAM032768BAGR	Silicon晶振	Si501	32.768kHz	3.3V	±20ppm
501JCAM032768CAFR	Silicon晶振	Si501	32.768kHz	3.3V	±20ppm
501JCAM032768CAGR	Silicon晶振	Si501	32.768kHz	3.3V	±20ppm
501JCAM032768DAFR	Silicon晶振	Si501	32.768kHz	3.3V	±20ppm
501JCAM032768DAGR	Silicon晶振	Si501	32.768kHz	3.3V	±20ppm
501HCAM032768BAFR	Silicon晶振	Si501	32.768kHz	1.7 V ~ 3.6 V	±20ppm
501HCAM032768BAGR	Silicon晶振	Si501	32.768kHz	1.7 V ~ 3.6 V	±20ppm
501HCAM032768CAFR	Silicon晶振	Si501	32.768kHz	1.7 V ~ 3.6 V	±20ppm
501HCAM032768CAGR	Silicon晶振	Si501	32.768kHz	1.7 V ~ 3.6 V	±20ppm
501HCAM032768DAFR	Silicon晶振	Si501	32.768kHz	1.7 V ~ 3.6 V	±20ppm
501HCAM032768DAGR	Silicon晶振	Si501	32.768kHz	1.7 V ~ 3.6 V	±20ppm