泰艺晶振TA,TAECDDJANF-10.000000压控温补晶振

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泰艺晶振TA,TAECDDJANF-10.000000压控温补晶振

项目	符号	规格说明	条件
输出频率范围	f0	10MHz	请联系我们以便获取其它可用频率的相关信息
电源电压	VCC	2.5-3.3V	请联系我们以了解更多相关信息
储存温度	T_stg	-55℃to +125℃	裸存
工作温度	T_use	G: -40℃to +85℃	请联系我们查看更多资料http://www.epsoncrystal.com
		H: -40℃to +105℃
		J: -40℃to +125℃
频率稳定度	f_tol	J: ±50 × 10-6
		L: ±100 × 10-6
		T: ±150 × 10-6
功耗	ICC	3.5 mA Max.	无负载条件、最大工作频率
待机电流	I_std	3.3μA Max.	ST=GND
占空比	SYM	45 % to 55 %	50 % VCC 极, L_CMOS≦15 pF
输出电压	VOH	VCC-0.4V Min.
输出电压	VOL	0.4 V Max.
输出负载条件	L_CMOS	15 pF Max.
输入电压	VIH	80% VCCMax.	ST终端
输入电压	VIL	20 % VCCMax.	ST终端
上升/下降时间	tr / tf	4 ns Max.	20 % VCCto 80 % VCC极, L_CMOS=15 pF
振荡启动时间	t_str	3 ms Max.	t=0 at 90 %
频率老化	f_aging	±3 × 10-6/ year Max.	+25 ℃, 初年度,第一年

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TA 7050 TCXO

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1.操作:请勿用镊子或任何坚硬的工具,夹具直接接触IC的表面。

2.使用环境（温度和湿度）

请在规定的温度范围内使用石英晶振。这个温度涉及本体的和季节变化的温度。在高湿环境下,会由于凝露引起故障。请避免凝露的产生。

晶振/石英晶体谐振器

激励功率:在DIP晶振上施加过多驱动力,会导致产品特性受到损害或破坏。电路设计必须能够维持适当的激励功率。

负极电阻:除非石英晶体振荡器回路中分配足够多的负极电阻,否则振荡或振荡启动时间可能会增加。

负载电容:有源晶体振荡电路中负载电容的不同,可能导致振荡频率与设计频率之间产生偏差。试图通过强力调整,可能只会导致不正常的振荡。在使用之前,请指明该振动电路的负载电容。

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泰艺晶振科技股份有限公司环境影响的最小化：遵照社会的期望，改进我们的环境行为，我们将表面贴片晶振通过有效利用森林、能源以及其它资源，减少各种形式的废物来实现这一承诺。

环境管理体系：泰艺晶振公司在每一个运行部门，实施支持方针的系统的环境管理工具。我们将确保适当的人力资源和充分的财力保障。每年我们都将建立可测量的环境管理以及行为改进的目标和指标。

环境行为评价：评价台产泰艺晶振运行以及员工的环境行为表现，确认支撑着本方针的成绩。我们将向我们的员工提供信息，以及能够将方针与各自工作职责完全结合的培训。

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TAITIEN原厂代码	品牌	型号	类型	频率	输出	电压	频率稳定度
TAETBCJANF-25.000000	Taitien	TA	TCXO	25MHz	CMOS	2.8 V ~ 3.3 V	±1ppm
TAETBCSANF-10.000000	Taitien	TA	TCXO	10MHz	Clipped Sine Wave	2.8 V ~ 3.3 V	±1ppm
TAETBEJANF-12.800000	Taitien	TA	TCXO	12.8MHz	CMOS	2.8 V ~ 3.3 V	±1ppm
TAEBCCSANF-25.000000	Taitien	TA	VCTCXO	25MHz	Clipped Sine Wave	2.8 V ~ 3.3 V	±2ppm
TAECDDJANF-10.000000	Taitien	TA	VCTCXO	10MHz	CMOS	2.8 V ~ 3.3 V	±2.5ppm
TAECDDSANF-14.400000	Taitien	TA	VCTCXO	14.4MHz	Clipped Sine Wave	2.8 V ~ 3.3 V	±2.5ppm
TAECPCSANF-20.480000	Taitien	TA	VCTCXO	20.48MHz	Clipped Sine Wave	2.8 V ~ 3.3 V	±1.5ppm
TAECPLSANF-16.000000	Taitien	TA	VCTCXO	16MHz	Clipped Sine Wave	2.8 V ~ 3.3 V	±1.5ppm
TAETACJANF-10.240000	Taitien	TA	TCXO	10.24MHz	CMOS	2.8 V ~ 3.3 V	±500ppb
TAETDLJANF-30.720000	Taitien	TA	TCXO	30.72MHz	CMOS	2.8 V ~ 3.3 V	±2.5ppm
TAEABLSANF-25.000000	Taitien	TA	VCTCXO	25MHz	Clipped Sine Wave	2.8 V ~ 3.3 V	±1ppm
TAEABLSANF-50.000000	Taitien	TA	VCTCXO	50MHz	Clipped Sine Wave	2.8 V ~ 3.3 V	±1ppm
TAECBLJANF-25.000000	Taitien	TA	VCTCXO	25MHz	CMOS	2.8 V ~ 3.3 V	±1ppm
TAECBLSANF-10.000000	Taitien	TA	VCTCXO	10MHz	Clipped Sine Wave	2.8 V ~ 3.3 V	±370ppb
TAETBLJANF-10.000000	Taitien	TA	TCXO	10MHz	CMOS	2.8 V ~ 3.3 V	±1ppm
TAETBLJANF-19.200000	Taitien	TA	TCXO	19.2MHz	CMOS	2.8 V ~ 3.3 V	±1ppm
TAETBLJANF-25.000000	Taitien	TA	TCXO	25MHz	CMOS	2.8 V ~ 3.3 V	±1ppm
TAETBLJANF-27.000000	Taitien	TA	TCXO	27MHz	CMOS	2.8 V ~ 3.3 V	±1ppm
TAETBLJANF-30.720000	Taitien	TA	TCXO	30.72MHz	CMOS	2.8 V ~ 3.3 V	±1ppm
TAETBLSANF-10.000000	Taitien	TA	TCXO	10MHz	Clipped Sine Wave	2.8 V ~ 3.3 V	±1ppm
TAETBLSANF-20.000000	Taitien	TA	TCXO	20MHz	Clipped Sine Wave	2.8 V ~ 3.3 V	±1ppm
TAETCLJANF-50.000000	Taitien	TA	TCXO	50MHz	CMOS	2.8 V ~ 3.3 V	±2ppm
TAETCLSANF-10.000000	Taitien	TA	TCXO	10MHz	Clipped Sine Wave	2.8 V ~ 3.3 V	±2ppm
TAEAALJANF-19.200000	Taitien	TA	VCTCXO	19.2MHz	CMOS	2.8 V ~ 3.3 V	±500ppb
TAETALJANF-20.000000	Taitien	TA	TCXO	20MHz	CMOS	2.8 V ~ 3.3 V	±500ppb
TAETALSANF-40.000000	Taitien	TA	TCXO	40MHz	Clipped Sine Wave	2.8 V ~ 3.3 V	±500ppb