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TTEATCJANF-20.480000|20.48MHz|7050|VCTCXO|3.3V

TTEATCJANF-20.480000|20.48MHz|7050|VCTCXO|3.3VTTEATCJANF-20.480000|20.48MHz|7050|VCTCXO|3.3V

产品简介

TTEATCJANF-20.480000|20.48MHz|7050|VCTCXO|3.3V,台湾泰艺晶振公司,典型的7.0x5.0x1.9毫米陶瓷SMD封装。-层3(总体±4.6ppm,包括20年老化)- CMOS和剪切正弦波(无直流切割电容器)输出可选。家庭基站,基站,7.0 x 5.0 mm SMD电压控制温度补偿晶体振荡器

产品详情

TTEATCJANF-20.480000|20.48MHz|7050|VCTCXO|3.3V,台湾泰艺晶振公司,典型的7.0x5.0x1.9毫米陶瓷SMD封装。-层3(总体±4.6ppm,包括20年老化)- CMOS和剪切正弦波(无直流切割电容器)输出可选。家庭基站,基站,7.0 x 5.0 mm SMD电压控制温度补偿晶体振荡器

TTEATCJANF-20.480000|20.48MHz|7050|VCTCXO|3.3V

电源电压变化率(VDD)5%

4.75

5.25

3.13

3.47

V

频率

5

26

5

26

MHz

标准频率

10, 12.8, 16.384, 19.2, 19.44, 20, 25, 26

操作温度范围

-20 ~ 70

-40 ~ 85

oC

频率稳定性(总体上,20年)*

-

±4.6

-

±4.6

ppm

频率稳定性与温度范围

(Ref.to(FMAX+Fmin)/2)

-

±0. 14(-20~+70 oC)±0.28 (-40~+85 oC)

-

±0. 14(-20~+70 oC)±0.28 (-40~+85 oC)

ppm

霍尔多弗稳定性+

-

±0.32

-

±0.32

ppm

电源电流(CMOS输出)

-

6

-

6

mA

供电电流(剪切的正弦波)

-

3.5

-

3.5

输出电平(CMOS) OutputHigh(Logic“1)

90% VDD

-

90% VDD

-

V

OutputLow(Logic0”)

-

10%VDD

-

10%VDD

Duty

45

55

45

55

%

输出电平(剪切的正弦波))

0.8

-

0.8

-

Vp-p

负载电荷(CMOS)

15pF

15pF

负载(压缩正弦波)

10KΩ//10pF

10KΩ//10pF

控制电压范围(VCTCXO)

0.5

2.5

0.5

2.5

V

拉力范围(VCTCXO)

±5.0

-

±5.0

-

ppm

Vc输入阻抗(VCTCXO)

100

-

100

-

KΩ

相位噪音@12.8MHz(Typ)

100Hz

-130

dBc/Hz

1KHz

-145

10KHz

-154

起动时间

-

2

-

2

mSec

储存温度范围

-55

125

-55

125

C

TTEATCJANF-20.480000|20.48MHz|7050|VCTCXO|3.3V

TT 7050

TT

TAITIEN原厂代码 品牌 型号 类型 频率 输出 电压 频率稳定度
TTETALJANF-10.000000 Taitien TT TCXO 10MHz CMOS 2.8 V ~ 3.3 V ±500ppb
TTETKLJANF-10.000000 Taitien TT TCXO 10MHz CMOS 2.8 V ~ 3.3 V ±280ppb
TTEAALSANF-20.000000 Taitien TT VCTCXO 20MHz Clipped Sine Wave 2.8 V ~ 3.3 V ±500ppb
TTEAALSANF-26.000000 Taitien TT VCTCXO 26MHz Clipped Sine Wave 2.8 V ~ 3.3 V ±500ppb
TTCABLSANF-13.000000 Taitien TT VCTCXO 13MHz Clipped Sine Wave 5V ±1ppm
TTCTACJANF-50.000000 Taitien TT TCXO 50MHz CMOS 5V ±500ppb
TTEAALJANF-20.000000 Taitien TT VCTCXO 20MHz CMOS 2.8 V ~ 3.3 V ±500ppb
TTETALSANF-25.000000 Taitien TT TCXO 25MHz Clipped Sine Wave 2.8 V ~ 3.3 V ±500ppb
TTEAALJANF-26.000000 Taitien TT VCTCXO 26MHz CMOS 2.8 V ~ 3.3 V ±500ppb
TTEAALSANF-50.000000 Taitien TT VCTCXO 50MHz Clipped Sine Wave 2.8 V ~ 3.3 V ±500ppb
TTEABLJANF-10.000000 Taitien TT VCTCXO 10MHz CMOS 2.8 V ~ 3.3 V ±1ppm
TTEAALJANF-40.000000 Taitien TT VCTCXO 40MHz CMOS 2.8 V ~ 3.3 V ±500ppb
TTCAMCSANF-12.800000 Taitien TT VCTCXO 12.8MHz Clipped Sine Wave 5V ±100ppb
TTETTCJANF-12.800000 Taitien TT TCXO 12.8MHz CMOS 2.8 V ~ 3.3 V ±4.6ppm
TTETTCJANF-20.000000 Taitien TT TCXO 20MHz CMOS 2.8 V ~ 3.3 V ±4.6ppm
TTETTCJANF-24.576000 Taitien TT TCXO 24.576MHz CMOS 2.8 V ~ 3.3 V ±4.6ppm
TTETTCJANF-25.000000 Taitien TT TCXO 25MHz CMOS 2.8 V ~ 3.3 V ±4.6ppm
TTEATCJANF-20.480000 Taitien TT VCTCXO 20.48MHz CMOS 2.8 V ~ 3.3 V ±4.6ppm
TTEAMCJANF-40.000000 Taitien TT VCTCXO 40MHz CMOS 2.8 V ~ 3.3 V ±100ppb
TTETKLSANF-20.000000 Taitien TT TCXO 20MHz Clipped Sine Wave 2.8 V ~ 3.3 V ±280ppb
TTETKLJANF-30.720000 Taitien TT TCXO 30.72MHz CMOS 2.8 V ~ 3.3 V ±280ppb
TTETKLSANF-10.000000 Taitien TT TCXO 10MHz Clipped Sine Wave 2.8 V ~ 3.3 V ±280ppb
TTETKLJANF-19.200000 Taitien TT TCXO 19.2MHz CMOS 2.8 V ~ 3.3 V ±280ppb
TTETKLJANF-25.000000 Taitien TT TCXO 25MHz CMOS 2.8 V ~ 3.3 V ±280ppb
TTEATLJANF-10.000000 Taitien TT VCTCXO 10MHz CMOS 2.8 V ~ 3.3 V ±4.6ppm
TTETTLJANF-12.800000 Taitien TT TCXO 12.8MHz CMOS 2.8 V ~ 3.3 V ±4.6ppm
TTETTLJANF-20.000000 Taitien TT TCXO 20MHz CMOS 2.8 V ~ 3.3 V ±4.6ppm
TTCATLJANF-10.000000 Taitien TT VCTCXO 10MHz CMOS 5V ±4.6ppm
TTEATLJANF-40.000000 Taitien TT VCTCXO 40MHz CMOS 2.8 V ~ 3.3 V ±4.6ppm
TTETTLJANF-16.384000 Taitien TT TCXO 16.384MHz CMOS 2.8 V ~ 3.3 V ±4.6ppm
TTEAALJANF-50.000000 Taitien TT VCTCXO 50MHz CMOS 2.8 V ~ 3.3 V ±500ppb
TTEAPLJANF-40.000000 Taitien TT VCTCXO 40MHz CMOS 2.8 V ~ 3.3 V ±1.5ppm
TTCTBCJANF-10.000000 Taitien TT TCXO 10MHz CMOS 5V ±1ppm
TTEBALJANF-8.192000 Taitien TT VCTCXO 8.192MHz CMOS 2.8 V ~ 3.3 V ±500ppb
TTEBBLJANF-40.000000 Taitien TT VCTCXO 40MHz CMOS 2.8 V ~ 3.3 V ±1ppm
TTETADSANF-50.000000 Taitien TT TCXO 50MHz Clipped Sine Wave 2.8 V ~ 3.3 V ±500ppb

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