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SEIKO EPSON CRYSTAL CO,LTD.

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ECLIPTEK晶振E1S,E1SJA18-7.3728M TR晶振

频率:7.3728MHz

尺寸:13.3*4.85mm

ECLIPTEK晶振E1S,E1SJA18-7.3728M TR晶振.美国日蚀晶振公司,ECLIPTEK晶振,E1S晶振,E1SJA18-7.3728M TR晶振,贴片晶振,49SMD晶振,家庭影音系统晶振,石英晶振,无源晶振,摄像头晶振

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ECLIPTEK晶振E1S,E1SJA18-7.3728M TR晶振

ECLIPTEK晶振

单位

频率范围

石英晶振基本条件

标准频率

f_nom

7.3728MHz

标准频率

储存温度

T_stg

-40°C~+85°C

裸存

工作温度

T_use

-40°C~+85°C


标准温度

激励功率

DL

10~100μW Max.

推荐:1μW ~ 100μW

频率公差

f_— l

±15ppm

+25°C 对于超出标准的规格说明,

请联系我们以便获取相关的信息,http://www.epsoncrystal.com/

频率温度特征

f_tem

±30× 10-6/

超出标准的规格请联系我们.

负载电容

CL

18PF

超出标准说明,请联系我们.

串联电阻(ESR)

R1

如下表所示

-40°C —  +85°C, DL = 100μW

频率老化

f_age

±3 × 10-6 / year Max.

+25°C,第一年

ECLIPTEK晶振E1S,E1SJA18-7.3728M TR晶振


E1SFAS-3.579545M TR 49SMD

ECLIPTEK晶振E1S,E1SJA18-7.3728M TR晶振

静电:过高的静电可能会损坏SMD晶体,请注意抗静电条件.请为容器和封装材料选择导电材料.在处理的时候,请使用电焊枪和无高电压泄漏的测量电路,并进行接地操作.

激励功率在石英贴片晶振单元上施加过多驱动力,会导致产品特性受到损害或破坏.电路设计必须能够维持适当的激励功率.

负极电阻:除非振荡回路中分配足够多的负极电阻,否则振荡或振荡启动时间可能会增加.

负载电容:振荡电路中负载电容的不同,可能导致振荡频率与设计频率之间产生偏差.试图通过强力调整,可能只会导致不正常的振荡.在使用之前,请指明该振动电路的负载电容.

晶体振荡器和实时时钟模块:所有晶体振荡器和实时时钟模块都以IC形式提供.

噪音:在电源或输入端上施加执行级别(过高)的不相干(外部的)噪音,可能导致会引发功能失常或击穿的闭门或杂散现象.

输入终端的处理:未用针脚可能会引起噪声响应,从而导致非正常工作.同时,当P通道和N通道都处于打开时,电源功率消耗也会增加;因此,请将未用输入终端连接到VCC或GND.

热影响:重复的温度巨大变化可能会降低受损害的3215石英晶振单元的产品特性,并导致塑料封装里的线路击穿.必须避免这种情况.

安装方向:贴片石英晶振的不正确安装会导致故障以及崩溃,因此安装时,请检查安装方向是否正确.

通电:不建议从中间电位和/或极快速通电,否则会导致无法产生振荡和/或非正常工作.

ECLIPTEK晶振E1S,E1SJA18-7.3728M TR晶振,ECLIPTEK晶振环境管理体系:在每一个运行部门,实施支持方针的系统的环境管理工具.我们将确保适当的人力资源和充分的财力保障.每年我们都将建立可测量的环境管理以及行为改进的目标和指标.

ECLIPTEK晶振遵守所有适用的有关环境,健康和安全的法律和法规以及集团自己的有关环境,工业卫生和安全的方针和承诺.

与我们的员工一起开创并保持一个免于事故的工作场所.重视污染预防,消除偏离程序的行为强调通过员工努力这一最可行的方法持续改进我们经营活动的环境绩效.

将持续的环境,健康和安全方面的改进,污染预防和员工的努力纳入日常运行当中.

加强污染防治,减少现有的污染废弃物以及在未来生产制造中所产生的污染.

ECLIPTEK晶振集团为确保安全,提高保护预防措施,产品的可靠性以及职业安全,确保职业健康与环境的优越性,通过正式的管理评审和对健康,安全和环境实施效果的持续改进,保护人群及财产与环境.

ECLIPTEK晶振集团建立一种可测量的发展和改进的目标指标,定期进行内审和管理评审.在现有的或新生的各种活动中不断监测和改进环境绩效.通过对生产活动的持续改进和促进对低效或无效的环境法律法规进行合理化转变,努力提高环境管理中资本的效力.

将生产活动中的环境因素和环境影响的分析纳入我们的决策中来,确保活动中每一分子的运作和发展都体现对污染预防方针的贯彻.

我们将定期对雇员进行教育和培训,确保他们能够安全高效的工作,树立他们的环保责任感. 与雇员,客户,公众,政府及关注公司环境绩效和持续改进计划的相关方进行充分开放的信息交流.

E1S(1)

E1S(2)

制造商零件编号 供应商 系列 类型 频率 频率稳定性 频率容差 负载电容
E1SJA18-7.3728M TR Ecliptek E1S MHz 晶体 7.3728 MHz ±30ppm ±15ppm 18pF
E1SCA18-8.000M TR Ecliptek E1S MHz 晶体 8 MHz ±100ppm ±50ppm 18pF
E1SFA18-25.000M TR Ecliptek E1S MHz 晶体 25 MHz ±50ppm ±30ppm 18pF
E1SJA18-4.000M TR Ecliptek E1S MHz 晶体 4 MHz ±30ppm ±15ppm 18pF
E1SJA18-25.000M TR Ecliptek E1S MHz 晶体 25 MHz ±30ppm ±15ppm 18pF
E1SEA18-8.000M TR Ecliptek E1S MHz 晶体 8 MHz ±50ppm ±30ppm 18pF
E1SDA12-25.000M TR Ecliptek E1S MHz 晶体 25 MHz ±50ppm ±30ppm 12pF
E1SFA12-3.6864M TR Ecliptek E1S MHz 晶体 3.6864 MHz ±50ppm ±30ppm 12pF
E1SJA18-6.000M TR Ecliptek E1S MHz 晶体 6 MHz ±30ppm ±15ppm 18pF
E1SJA18-18.432M TR Ecliptek E1S MHz 晶体 18.432 MHz ±30ppm ±15ppm 18pF
E1SFA18-4.000M TR Ecliptek E1S MHz 晶体 4 MHz ±50ppm ±30ppm 18pF
E1SJA18-14.31818M TR Ecliptek E1S MHz 晶体 14.31818 MHz ±30ppm ±15ppm 18pF
E1SJA18-6.144M TR Ecliptek E1S MHz 晶体 6.144 MHz ±30ppm ±15ppm 18pF
E1SJA18-28.63636M TR Ecliptek E1S MHz 晶体 28.63636 MHz ±30ppm ±15ppm 18pF

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