5032贴片晶振,有源晶振,SG5032CBN晶振,X1G0044610001晶振

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爱普生晶振,有源晶振,SG5032CBN晶振,X1G0044610001晶振

频率：80-170MHZ

尺寸：5.0*3.2mm

普通石英晶振,外观完全使用金属材料封装的,产品本身采用全自动石英晶体检测仪,以及跌落,漏气等苛刻实验.产品本身具有高稳定性,高可靠性的石英晶体谐振器,焊接方面支持表面贴装,外观采用金属封装,具有充分的密封性能,贴片晶振本身能确保其高可靠性,采用编带包装,可对应产品应用到自动贴片机高速安装,满足无铅焊接的高温回流温度曲线要求.

订购热线：0755-27838351

爱普生晶振,有源晶振,SG5032CBN晶振,5032mm体积的晶振,可以说是目前小型数码产品的福音,目前超小型的智能手机里面所应用的就是小型的石英晶振,该产品最适用于无线通讯系统,无线局域网,已实现低相位噪声,低电压,低消费电流和高稳定度,超小型,质量轻等产品特点,产品本身编带包装方式,可对应自动高速贴片机应用,以及高温回流焊接（产品无铅对应）,为无铅产品.

石英晶振真空退火技术：32.768K晶振高真空退火处理是消除贴片晶振在加工过程中产生的应力及轻微表面缺陷。在PLC控制程序中输入已设计好的温度曲线，使真空室温度跟随设定曲线对晶体组件进行退火，石英晶振通过合理的真空退火技术可提高晶振主要参数的稳定性，以及提高石英晶振的年老化特性。

项目	符号	规格说明	条件
输出频率范围	f0	80-170MHZ	请联系我们以便获取其它可用频率的相关信息
电源电压	VCC	1.6-3.6V	请联系我们以了解更多相关信息
储存温度	T_stg	-40℃ to +125℃	裸存
工作温度	T_use	G: -20℃ to +70℃	请联系我们查看更多资料http://www.epsoncrystal.com
		H: -40℃ to +85℃

频率稳定度	f_tol	J: ±50 × 10-6
		L: ±100 × 10-6
		T: ±150 × 10-6
功耗	ICC	3.5 mA Max.	无负载条件、最大工作频率
待机电流	I_std	3.3μA Max.	ST=GND
占空比	SYM	45 % to 55 %	50 % VCC 极, L_CMOS≦15 pF
输出电压	VOH	VCC-0.4V Min.
输出电压	VOL	0.4 V Max.
输出负载条件	L_CMOS	15 pF Max.
输入电压	VIH	80% VCC Max.	ST 终端
输入电压	VIL	20 % VCC Max.	ST 终端
上升/下降时间	tr / tf	4 ns Max.	20 % VCC to 80 % VCC 极, L_CMOS=15 pF
振荡启动时间	t_str	3 ms Max.	t=0 at 90 %
频率老化	f_aging	±3 × 10-6 / year Max.	+25 ℃, 初年度,第一年

爱普生有源晶振编码列表：

Product Number

Model

Frequency

LxWxH

Output Wave

Ope Temperature

Freq. Tol.

I [Max]

25°C Aging

Aging2

Symmetry

X1G0044610001	SG5032CBN	100.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 11.0 mA	+/-5ppm	45 to 55 %
X1G0044610002	SG5032CBN	125.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 11.0 mA	+/-5ppm	45 to 55 %
X1G0044610003	SG5032CBN	133.333000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 11.0 mA	+/-5ppm	45 to 55 %
X1G0044610004	SG5032CBN	133.330000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 11.0 mA	+/-5ppm	45 to 55 %
X1G0044610005	SG5032CBN	150.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 11.0 mA	+/-5ppm	45 to 55 %
X1G0044610006	SG5032CBN	153.600000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 11.0 mA	+/-5ppm	45 to 55 %
X1G0044610007	SG5032CBN	156.250000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 11.0 mA	+/-5ppm	45 to 55 %
X1G0044610008	SG5032CBN	160.000000 MHz	5.00 x 3.20 x 1.30 mm	CMOS	-40 to 85 °C	+/-50 ppm	≤ 11.0 mA	+/-5ppm	45 to 55 %

SG5032CAN 7050CAN CBN CCN CMOS

爱普生有源晶振产品列表：

型号	尺寸 [mm]	输出波	输出频率范围[MHz]	供电电压 [V]	频率容差工作温度 [x10 ^ -6 /°C至°C]
SG3225VAN	3.2 x 2.5	LVDS（VAN）	73.5至700	2.5至3.3	+/- 50 / -20至+70 +/- 50 / -40至+85 +/- 30 / -20至+70 +/- 30 / -40至+85 +/- 20 / -20至+70
SG3225VEN	3.2 x 2.5	LVDS	25至200	2.5 3.3	+/- 25 / -40到+85
SG5032CAN SG5032CBN SG5032CCN	5.0 x 3.2	CMOS	1至75（CAN） 80至170（CBN） 2.5至50（CCN）	1.6至3.63 （CAN / CBN） 4.5至5.5（CCN）	+/- 25 / -20至+70（仅CAN） +/- 50 / -20至+70 +/- 50 / -40至+85 +/- 50 / -40至+105（仅限CAN） + / -100 / -40到+105（仅限CAN）
SG5032EAN	5.0 x 3.2	LV-PECL	73.5至700	2.5至3.3	+/- 50 / -20至+70 +/- 50 / -40至+85 +/- 30 / -20至+70 +/- 30 / -40至+85 +/- 20 / -20至+70
SG5032VAN	5.0 x 3.2	LVDS（VAN）	73.5至700	2.5至3.3	+/- 50 / -20至+70 +/- 50 / -40至+85 +/- 30 / -20至+70 +/- 30 / -40至+85 +/- 20 / -20至+70

（1）线路连接的电阻（R）与晶体串联

（2）从起点到振荡的停止点调整R的值。

（3）振荡期间测量R的值。

（4）你将能够获得负电阻的值，|·R|= R +的Rr，和RR =晶振的阻力。

附：所连接的电路的杂散电容，可能会影响测定值。

如果有源晶振的参数是正常的，但它不工作稳步振荡电路中，我们将不得不找出IC的电阻值是否过低驱动电路。如果是这样的话，我们有三种方法来改善这样的情况：

降低外部电容（Cd和CG）的值，并采用其他贴片晶振具有较低负载电容（CL）。

采用具有较低电阻（RR）的晶振。

使用光盘和CG的不等价的设计。我们可以增加镉（XOUT）的负载电容和降低CG（辛）的负载电容以提高从辛波形幅度将在其后端电路中使用的输出。

当有信号输出从XOUT但不辛，其表示后面的功耗的情况下 - 电极后端电路是极其巨大的。我们可以添加一个缓冲电路的输出和它的后电极之间，以驱动后端电路。

但1-5的方法上面提到的，你也可以按照步骤1-4-4的三种方法。如有不明白请联系我公司晶振的应用工程师和IC制造商寻求进一步的帮助，如果你的问题不能得到解决。系统无法运行，因为石英晶体没有足够的输出波形振幅。

爱普生晶振,有源晶振,SG5032CBN晶振

爱普生株式会社EPSON晶振通过追求以QMEMS 技术为核心的“省、小、精”技术,5032有源晶振来推动具有领先性的环保活动,把降低环境负荷作为一种顾客价值提供给顾客。

创造并提供专研了“省、小、精”的32.768K钟表晶振,温补晶振晶振,石英晶振,有源晶振,压控振荡器等水晶元器件及其关联产品；5032mm表面SMD晶振并且构筑和革新既可以降低环境负荷又可以提高生产性的生产流程的活动。爱普生株式会社EPSON晶振不仅遵守与环保相关的法规、条例及其他本公司赞同的要求事项,也根据需要自主性的制定基准,通过持续性的展开环保活动来预防污染。