频率:50.000MHz
尺寸:5.0x3.2mm
50MHz,QCC325N5-50.000MHz,5032mm,FMI航空电子应用晶振,美国进口晶振,FMI晶振,型号:QCC325,编码为:QCC325N5-50.000MHz,电压:+2.5V,频率稳定性:±25ppm,工作温度范围:-20℃至+70℃,频率:50.000MHz,小体积晶振尺寸:5.0x3.2mm,四脚贴片晶振,石英晶体振荡器,有源晶振。Q-Tech的表面安装QCC325振荡器包括一个IC 5Vdc,3.3Vdc,2.5Vdc,1.8Vdc时钟方波发生器和一个微型带石英晶体,建在一个低调的陶瓷封装与镀金接触垫。应用程序:旨在满足当今对低成本的要求,电压应用,枪射弹药和系统,智能弹药,仪器,导航,航空电子,微处理器时钟应用。
•ECCN:EAR99,占地面积小
•频率范围从1MHz到220.000MHz
•LVHCMOS、HCMOS和TTL兼容,石英贴片晶振
•5.0Vdc、3.3Vdc、2.5Vdc、1.8Vdc电源
•根据ITOP 1-2-601,能够承受36000G的冲击
•工作温度-40ºC至+85ºC,三态输出标准,密封陶瓷包装
•基础和第三序曲设计,可进行全部或部分军事筛查测试
•磁带和卷轴包装,符合RoHS
50MHz,QCC325N5-50.000MHz,5032mm,FMI航空电子应用晶振,参数表
50MHz,QCC325N5-50.000MHz,5032mm,FMI航空电子应用晶振,尺寸图
Parameters
QCC325
QCC325L
QCC325N
QCC325R
Output frequency range (Fo)
50.000MHz
1MHz — 220.000MHz
1MHz — 220.000MHz
1MHz — 165.000MHz
Supply voltage (Vdd)
5.0Vdc ± 10%
3.3Vdc ± 10%
2.5Vdc ± 10%
1.8Vdc ± 10%
Maximum Applied Voltage (Vdd max.)
-0.5 to +7.0Vdc
-0.5 to +5.0Vdc
Frequency stability (?F/?T)
± 50ppm max.
Operating temperature (Topr)
-40ºC to +85ºC
Storage temperature (Tsto)
-55ºC to + 125ºC
Operating supply current
(No Load)
35 mAmax.- 1MHz ~ < 32MHz
70 mAmax.- 32MHz ~ < 70MHz
90 mAmax.- 70MHz ~ 106.250MHz
20 mAmax.- 1MHz ~ < 32MHz
45 mAmax.- 32MHz ~ < 70MHz
100 mAmax.-70MHz ~ 220.000MHz
8 mAmax.-1MHz ~ < 30MHz
22 mAmax.-30MHz ~ < 60MHz
70 mAmax.-60MHz~ 220.000MHz
7 mAmax.-1MHz ~ < 30MHz
18 mAmax.-30MHz ~ < 70MHz
61 mAmax -70MHz~ 165MHz
Symmetry
(50% of ouput waveform )
45/55%
Rise and Fall times
10ns max. - 1MHz ~ < 20MHz
7ns max. - 20MHz ~ 106.250MHz
(between 10% to 90%)
8ns max. - 1MHz ~ < 20MHz
5ns max. - 20MHz ~ 220.000MHz
(between 10% to 90%)
6ns max.
(between 20% to 80%)
Output Load
30pF max. 1MHz ~ < 50MHz
15pF max. (50MHz ~ 106.250MHz)
15pF max.
15pF max.
Start-up time (Tstup)
10ms max.
Output voltage (Voh/Vol)
0.9Vdd min. / 0.1Vdd max.
Output Current (Ioh/Iol)
± 16mAmax.
± 8mAmax.
± 6mAmax.
Enable/Disable function Pin 1
VIH ≥ 2.2V Active
VIH ≥ 2.2V Active (< 30MHz)
VIH ≥ 0.7Vdd Active (≥ 30MHz)
VIH ≥ 0.7Vdd Active
VIL ≤ 0.8VHigh Z
VIL ≤ 0.8VHigh Z (< 30MHz)
VIL ≤ 0.3Vdd High Z (≥ 30MHz)
VIL ≤ 0.3Vdd High Z
Aging
± 5ppm/year max.