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格林雷晶振,T75系列,温补晶振,T75-T57-LG-20.0MHz,7050振荡器,进口石英贴片

频率:10 ~ 50 MHz

尺寸:7.00mm x 5.00mm

格林雷晶振,T75系列,温补晶振,T75-T57-LG-20.0MHz,7050振荡器,进口石英贴片

温度补偿晶体振荡器(TCXO)包括数字补偿晶体振荡器和微机补偿晶体振荡器。器件内部采用模拟补偿网络或数字补偿方式、利用晶体负载电抗随温度的变化而补偿晶体元件的频率-温度特性,以达到减少其频率-温度偏移的晶体振荡器。格林雷晶振,T75系列晶振编码为:T75-T57-LG-20.0MHz,频率为:20.000MHz,尺寸为7.00mm x 5.00mm,6垫脚贴片晶振,TCXO温补晶振,进口石英贴片,有源晶振,小而坚固的7050毫米包装,耐振动,高冲击高达50000克,紧密的温度稳定性的±0.3ppm超过-10℃至+60℃,优秀的长期老化< 1 ppm超过10年,低功耗,低至2 mA,使可靠的,电池操作的性能提高。T75系列有源晶振具有轻薄型,低抖动,低功耗,低电源电压,低相位噪声,低电平等特点。

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  温度补偿晶体振荡器(TCXO)包括数字补偿晶体振荡器和微机补偿晶体振荡器。器件内部采用模拟补偿网络或数字补偿方式、利用晶体负载电抗随温度的变化而补偿晶体元件的频率-温度特性,以达到减少其频率-温度偏移的晶体振荡器。格林雷晶振,T75系列晶振编码为:T75-T57-LG-20.0MHz,频率为:20.000MHz,尺寸为7.00mm x 5.00mm,6垫脚贴片晶振,TCXO温补晶振,进口石英贴片,有源晶振,小而坚固的7050毫米包装,耐振动,高冲击高达50000克,紧密的温度稳定性的±0.3ppm超过-10℃至+60℃,优秀的长期老化< 1 ppm超过10年,低功耗,低至2 mA,使可靠的,电池操作的性能提高。T75系列有源晶振具有轻薄型,低抖动,低功耗,低电源电压,低相位噪声,低电平等特点。

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Frequency 10.0 MHz to 50.0MHz
Output CMOS or Clipped Sinewave
Symmetry 50% ± 10% (CMOS)
Output Level Clipped SINE - +0.8V p-p typ into 10pF/10k ohm load;HCMOS – T75 - +0.2V max to +2.8V min; T76 - +0.2V max to +4.2V min (15pF load)

Temp Stability

(other stabilities

 available)

Temp Range Tolerance Option
-10°C to +60°C ±0.3 ppM G37
-20°C to +70°C ±0.5 ppM N57
-40°C to +85°C ±0.5 ppM T57
-40°C to +85°C ±1.0 ppM T16
-55°C to +95°C ±3.0 ppM V36
Aging <1 ppM/yr (10 MHz typ)
Freq Adjust ±7 ppM typ via 0 to Vcc control V, positive slope
Supply Voltage +3.3 VDC ± 5% or +5.0 VDC
Supply Current < 6mA for HCMOS; < 3mA for SINE
Accel Sensitivity ≤2.5x10-9/g (“SD” option); ≤7x10-10/g (“LG” option)


T75

格林雷晶振,T75系列,温补晶振,T75-T57-LG-20.0MHz,7050振荡器,进口石英贴片

t75 7.00 x 5.00 TCXO

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