CTS开发出与众不同的高性能HC49/US封装晶体GL200F33CDT,为网络通信设备提供广泛的选择

等效串联电阻
晶体器件的电阻元件[R1]，单位为欧姆。在串联谐振频率晶体的动电感[L1]和动电容[C1]的欧姆值相等但是它们的相位完全相反。最终的结果是它们相互抵消，在等效电路的串联分支中只剩下一个电阻。ESR测量只在串联谐振频率[fS]处进行，而不是在某些预定的并联谐振频率[fL]处进行。
弯曲振动

音叉小型晶体谐振器的一种振动模式，以振动板的弯曲运动为振荡源。这种类型的振动适合于低频[kHz]晶体设备。CTS开发出与众不同的高性能HC49/US封装晶体GL200F33CDT,为网络通信设备提供广泛的选择

LP080F23CDT	CTS晶振	ATSSMLP	MHz Crystal	80MHz
LP080F23CET	CTS晶振	ATSSMLP	MHz Crystal	80MHz
LP080F33CDT	CTS晶振	ATSSMLP	MHz Crystal	80MHz
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LP270F23IDT	CTS晶振	ATSSMLP	MHz Crystal	27MHz
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TS300F23IDT	CTS晶振	ATSSMTS	MHz Crystal	30MHz
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TS300F33IDT	CTS晶振	ATSSMTS	MHz Crystal	30MHz
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GL042F23CDT	CTS晶振	ATSSMGL	MHz Crystal	4.096MHz
GL042F23CET	CTS晶振	ATSSMGL	MHz Crystal	4.096MHz
GL042F33CDT	CTS晶振	ATSSMGL	MHz Crystal	4.096MHz

频率

它是在单位时间内事件的周期性重复，以赫兹(Hz)计量。在一个电电路中，它是谐振腔板在一秒钟内振荡或振动的次数。
频率稳定度

在运行过程中，频率与环境温度频率的偏差量温度范围内。此术语表示为最小和最大百分比[%]或每百万[ppm]，由以下主要因素决定:石英切割类型和角度石英的削减。次要因素包括:工作方式、负载电容和开车的水平。

GL042F33CET	CTS晶振	ATSSMGL	MHz Crystal	4.096MHz
GL042F35CDT	CTS晶振	ATSSMGL	MHz Crystal	4.096MHz
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GL061F23CDT	CTS晶振	ATSSMGL	MHz Crystal	6.144MHz
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GL061F35CDT	CTS晶振	ATSSMGL	MHz Crystal	6.144MHz
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GL073F23CDT	CTS晶振	ATSSMGL	MHz Crystal	7.3728MHz
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GL073F35IDT	CTS晶振	ATSSMGL	MHz Crystal	7.3728MHz
GL073F35IET	CTS晶振	ATSSMGL	MHz Crystal	7.3728MHz

频率公差

通常称为校准精度，它是在室温[+25°C]下与指定的标称频率的偏差量。这一术语表示为最小和最大百分比[%]或百万分率[ppm]。
基本模式
谐振腔板将振荡的第一频率和最低频率的振动阶数由板的物理尺寸。
赫兹(Hz)

频率测量的基本单位。它是用来表示一个完整的量一秒钟内事件的发生。晶体的频率以兆赫为单位。或者赫兹(赫兹)。CTS开发出与众不同的高性能HC49/US封装晶体GL200F33CDT,为网络通信设备提供广泛的选择

GL080F23CDT	CTS晶振	ATSSMGL	MHz Crystal	8MHz
GL080F23CET	CTS晶振	ATSSMGL	MHz Crystal	8MHz
GL080F33CDT	CTS晶振	ATSSMGL	MHz Crystal	8MHz
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GL080F35IDT	CTS晶振	ATSSMGL	MHz Crystal	8MHz
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GL092F23CDT	CTS晶振	ATSSMGL	MHz Crystal	9.216MHz
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GL098F23CDT	CTS晶振	ATSSMGL	MHz Crystal	9.8304MHz
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GL100F23CDT	CTS晶振	ATSSMGL	MHz Crystal	10MHz
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GL111F23CDT	CTS晶振	ATSSMGL	MHz Crystal	11.0592MHz
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GL120F23CDT	CTS晶振	ATSSMGL	MHz Crystal	12MHz
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GL135F23CDT	CTS晶振	ATSSMGL	MHz Crystal	13.5MHz
GL135F23CET	CTS晶振	ATSSMGL	MHz Crystal	13.5MHz
GL135F33CDT	CTS晶振	ATSSMGL	MHz Crystal	13.5MHz
GL135F33CET	CTS晶振	ATSSMGL	MHz Crystal	13.5MHz
GL135F35CDT	CTS晶振	ATSSMGL	MHz Crystal	13.5MHz
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GL135F35IDT	CTS晶振	ATSSMGL	MHz Crystal	13.5MHz
GL135F35IET	CTS晶振	ATSSMGL	MHz Crystal	13.5MHz

绝缘电阻

电阻，以最小值表示，在晶体的引线之间和水晶引线和底座。
负载电容以Pico Farads [pF]指定的电容呈现在晶体上。并联负载谐振频率[fL]是负载电容的函数。
操作方式

石英晶体被设计成按其基本模式或其中一种泛音振动。为AT切割无源石英晶体，泛音模式为奇数次谐波。操作方式石英器件的振动频率是决定振荡频率的因素之一。

GL143F23CDT	CTS晶振	ATSSMGL	MHz Crystal	14.31818MHz
GL143F23CET	CTS晶振	ATSSMGL	MHz Crystal	14.31818MHz
GL143F33CDT	CTS晶振	ATSSMGL	MHz Crystal	14.31818MHz
GL143F33CET	CTS晶振	ATSSMGL	MHz Crystal	14.31818MHz
GL143F35CDT	CTS晶振	ATSSMGL	MHz Crystal	14.31818MHz
GL143F35CET	CTS晶振	ATSSMGL	MHz Crystal	14.31818MHz
GL143F35IDT	CTS晶振	ATSSMGL	MHz Crystal	14.31818MHz
GL143F35IET	CTS晶振	ATSSMGL	MHz Crystal	14.31818MHz
GL147F23CDT	CTS晶振	ATSSMGL	MHz Crystal	14.7456MHz
GL147F23CET	CTS晶振	ATSSMGL	MHz Crystal	14.7456MHz
GL147F33CDT	CTS晶振	ATSSMGL	MHz Crystal	14.7456MHz
GL147F33CET	CTS晶振	ATSSMGL	MHz Crystal	14.7456MHz
GL147F35CDT	CTS晶振	ATSSMGL	MHz Crystal	14.7456MHz
GL147F35CET	CTS晶振	ATSSMGL	MHz Crystal	14.7456MHz
GL147F35IDT	CTS晶振	ATSSMGL	MHz Crystal	14.7456MHz
GL147F35IET	CTS晶振	ATSSMGL	MHz Crystal	14.7456MHz
GL150F23CDT	CTS晶振	ATSSMGL	MHz Crystal	15MHz
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GL153F23CDT	CTS晶振	ATSSMGL	MHz Crystal	15.36MHz
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GL160F35CDT	CTS晶振	ATSSMGL	MHz Crystal	16MHz
GL160F35CET	CTS晶振	ATSSMGL	MHz Crystal	16MHz
GL160F35IDT	CTS晶振	ATSSMGL	MHz Crystal	16MHz
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