MEMS硅晶振与Q24FA20H0042400爱普生石英晶振
MEMS硅晶振技术的全称是微机电系统,和半导体电路相同,使用刻蚀、光刻等制造工艺,不需要组装、调整进一步可以将机械可动部、电子线路、传感器等集成到一片硅板上.爱普生石英晶振所以以其专利的MEMS硅晶振谐振器与传统的CMOS半导体工艺研发的全硅晶振,无论从技术趋势还是技术优势上,都势必将替代传统的石英晶振.
Q24FA20H0042400爱普生石英晶振,MEMS硅晶振
爱普生晶振编码
长x宽x高
型号
石英晶振频率
负载
频率25°C
频率公差
工作温度范围
ESR最大
Q24FA20H0034600
2.5x2x0.55mm
FA-20H
31.250000MHz
12pF
+/-50ppm
+/-50ppm
-40to+85°C
≤50Ω
Q24FA20H0035200
2.5x2x0.55mm
FA-20H
16.000000MHz
9pF
+/-10ppm
+/-10ppm
-20to+75°C
≤80Ω
Q24FA20H0035500
2.5x2x0.55mm
FA-20H
25.000000MHz
16pF
+/-10ppm
+/-15ppm
-30to+85°C
≤80Ω
Q24FA20H0036400
2.5x2x0.55mm
FA-20H
32.000000MHz
12pF
+/-10ppm
+/-13ppm
-30to+85°C
≤50Ω
Q24FA20H0037100
2.5x2x0.55mm
FA-20H
32.000000MHz
6pF
+/-10ppm
+/-13ppm
-30to+85°C
≤50Ω
Q24FA20H0037200
2.5x2x0.55mm
FA-20H
16.000000MHz
15pF
+/-20ppm
+/-30ppm
-20to+85°C
≤80Ω
Q24FA20H0038000
2.5x2x0.55mm
FA-20H
32.000000MHz
16pF
+/-10ppm
+/-20ppm
-40to+85°C
≤50Ω
Q24FA20H0038100
2.5x2x0.55mm
FA-20H
28.636360MHz
30pF
+/-30ppm
+/-30ppm
-40to+85°C
≤60Ω
Q24FA20H0038400
2.5x2x0.55mm
FA-20H
30.000000MHz
15pF
+/-10ppm
+/-20ppm
-40to+85°C
≤60Ω
Q24FA20H0038600
2.5x2x0.55mm
FA-20H
12.000000MHz
10pF
+/-20ppm
+/-25ppm
-20to+75°C
≤150Ω
Q24FA20H0038700
2.5x2x0.55mm
FA-20H
16.384000MHz
10pF
+/-15ppm
+/-15ppm
-20to+70°C
≤80Ω
Q24FA20H0039000
2.5x2x0.55mm
FA-20H
25.000000MHz
18pF
+/-20ppm
+/-18ppm
-40to+85°C
≤60Ω
Q24FA20H0039100
2.5x2x0.55mm
FA-20H
16.000000MHz
16pF
+/-20ppm
+/-30ppm
-20to+70°C
≤80Ω
Q24FA20H0039400
2.5x2x0.55mm
FA-20H
24.000000MHz
12pF
+/-10ppm
+/-19ppm
-40to+85°C
≤80Ω
Q24FA20H0040400
2.5x2x0.55mm
FA-20H
25.000000MHz
12pF
+/-10ppm
+/-10ppm
-20to+70°C
≤80Ω
Q24FA20H0041800
2.5x2x0.55mm
FA-20H
16.000000MHz
12pF
+/-20ppm
+/-40ppm
-40to+85°C
≤80Ω
Q24FA20H0042200
2.5x2x0.55mm
FA-20H
24.000000MHz
20pF
+/-30ppm
+/-20ppm
-20to+75°C
≤80Ω
Q24FA20H0042400
2.5x2x0.55mm
FA-20H
27.000000MHz
20pF
+/-30ppm
+/-30ppm
-20to+75°C
≤60Ω
Q24FA20H0042800
2.5x2x0.55mm
FA-20H
27.120000MHz
10pF
+/-10ppm
+/-30ppm
-40to+85°C
≤60Ω
Q24FA20H0043100
2.5x2x0.55mm
FA-20H
27.120000MHz
18pF
+/-20ppm
+/-30ppm
-40to+85°C
≤60Ω
Q24FA20H0043400
2.5x2x0.55mm
FA-20H
24.000000MHz
9pF
+/-10ppm
+/-10ppm
-20to+75°C
≤80Ω
Q24FA20H0044200
2.5x2x0.55mm
FA-20H
16.000000MHz
8pF
+/-10ppm
+/-11ppm
-20to+75°C
≤80Ω
Q24FA20H0045900
2.5x2x0.55mm
FA-20H
25.000000MHz
12pF
+/-30ppm
+/-30ppm
-20to+70°C
≤80Ω
Q24FA20H0047800
2.5x2x0.55mm
FA-20H
32.000000MHz
12pF
+/-10ppm
+/-25ppm
-40to+85°C
≤50Ω
Q24FA20H0048500
2.5x2x0.55mm
FA-20H
16.000000MHz
10pF
+/-10ppm
+/-10ppm
-20to+75°C
≤80Ω
MEMS硅晶振与石英晶振相比的优势：
低成本：最低可到2块钱RMB.
小体积：最小可到1.5mm*0.8mm.
封装100%兼容石英产品,无需任何电路更改.
高抗震性能,可抵抗50000G的冲击力.
爱普生晶振深圳代理商品质一致性,产品不良率为0.45DPPM（石英此数值为300DPPM）
高稳定性,普通产品内部均包括温度补偿电路.
集成电路,可适应目前电子行业的高集成度、低成本、小体积的趋势要求.
Q24FA20H0042400爱普生石英晶振,MEMS硅晶振
1959年世界首颗硅集成电路研发成功,从此替代了晶体管,开创了电子行业发展的新纪元.
如石英晶体谐振器前面所述,一个事物是否会被取代或者取代别的事物,我们主要从其是否适应行业发展趋势来看.我们原来用的相机胶卷,如今也被memory存储芯片的SD卡替代.
MEMS硅晶振2005年推出的革命性产品,采用MEMS硅晶振技术,用硅也完全替代了石英,使晶振也步入集成电路的行列.Q24FA20H0042400爱普生石英晶振,MEMS硅晶振
欧美进口SUNTSU晶振,6G无线模块晶振,SXT32410AA07-13.560M高品质晶振
美国SUNTSU进口6G路由器晶振,SXT11410AA07-25.000M四脚无源
美国西迪斯进口345LB5C2457T差分晶振,LVPECL输出差分晶振,6G通讯模块晶振
