西铁城晶振,石英晶振,CMR200T晶振,贴片石英晶振最适合用于车载电子领域的小型表面贴片石英晶体谐振器.也可对应有高可靠性要求的引擎控制用CPU的时钟部分简称为时钟晶体振荡器,在极端严酷的环境条件下也能发挥稳定的起振特性,产品本身具有耐热,耐振,耐撞击等优良的耐环境特性,满足无铅焊接的回流温度曲线要求,符合AEC-Q200标准.
普通石英晶振,外观完全使用金属材料封装的,有源晶振产品本身采用全自动石英晶体检测仪,以及跌落,漏气等苛刻实验.产品本身具有高稳定性,高可靠性的石英晶体谐振器,焊接方面支持表面贴装,外观采用金属封装,具有充分的密封性能,晶振本身能确保其高可靠性,采用编带包装,可对应产品应用到自动贴片机高速安装,满足无铅焊接的高温回流温度曲线要求.
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西铁城晶振规格
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单位
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频率范围
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石英晶振基本条件
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标准频率
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f_nom
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32.768KHZ
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标准频率
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储存温度
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T_stg
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-55°C ～ +125°C
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裸存
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工作温度
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T_use
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-40°C ～ +85°C
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标准温度
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激励功率
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DL
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200μW Max.
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推荐:1μW ～ 100μW
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频率公差
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f_— l
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±20 × 10-6 (标准),
(±15 × 10-6 ～ ±50 × 10-6 可用)
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+25°C 对于超出标准的规格说明,
请联系我们以便获取相关的信息,http://www.epsoncrystal.com/
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频率温度特征
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f_tem
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±30 × 10-6/-20°C ～ +70°C
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超出标准的规格请联系我们.
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负载电容
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CL
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12.5pF
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超出标准说明,请联系我们.
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串联电阻(ESR)
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R1
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如下表所示
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-40°C — +85°C, DL = 100μW
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频率老化
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f_age
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±5 × 10-6 / year Max.
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+25°C,第一年
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（1）线路连接的电阻（R）与晶体串联
（2）从起点到振荡的停止点调整R的值。
（3）振荡期间测量R的值。
（4）你将能够获得负电阻的值，|·R|= R +的Rr，和RR =晶振的阻力。
附：所连接的电路的杂散电容，可能会影响测定值。
如果晶振的参数是正常的，但它不工作稳步振荡电路中，我们将不得不找出IC的电阻值是否过低驱动电路。如果是这样的话，我们有三种方法来改善这样的情况：
降低外部电容（Cd和CG）的值，并采用其他石英晶振具有较低负载电容（CL）。
采用具有较低电阻（RR）的晶振。
使用光盘和CG的不等价的设计。我们可以增加镉（XOUT）的负载电容和降低CG（辛）的负载电容以提高从辛波形幅度将在其后端电路中使用的输出。
当有信号输出从XOUT但不辛，其表示后面的功耗的情况下 - 电极后端电路是极其巨大的。我们可以添加一个缓冲电路的输出和它的后电极之间，以驱动后端电路。
但1-5的方法上面提到的，你也可以按照步骤1-4-4的三种方法。如有不明白请联系我公司晶振的应用工程师和IC制造商寻求进一步的帮助，如果你的问题不能得到解决。系统无法运行，因为石英晶体没有足够的输出波形振幅。
西铁城晶振,石英晶振,CMR200T晶振
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西铁城晶振,石英晶振,CMJ200T晶振
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