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日本进口西铁城高精度晶振CMX-309,CMX309FLC2.4576MT有源晶振

频率:2.4576MHZ

尺寸:13.9*8.65mm

        日本进口西铁城高精度晶振CMX-309,CMX309FLC2.4576MT有源晶振,日本西铁城晶振公司,西铁城晶振,有源晶振,CMX-309晶振,CMX309FLC2.4576MT晶振,陶瓷晶振,石英晶振,贴片晶振,有源晶振,四脚晶振,日本进口晶振,智能手机晶振,智能手表晶振,高精度晶振,CMX309FLC4.000MT晶振,CMX309FLC24.000MT晶振,CMX309FLC5.000MT晶振


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        日本进口西铁城高精度晶振CMX-309,CMX309FLC2.4576MT有源晶振,日本西铁城晶振公司,西铁城晶振,有源晶振,CMX-309晶振,CMX309FLC2.4576MT晶振,陶瓷晶振,石英晶振,贴片晶振,有源晶振,四脚晶振,日本进口晶振,智能手机晶振,智能手表晶振,高精度晶振,CMX309FLC4.000MT晶振,CMX309FLC24.000MT晶振,CMX309FLC5.000MT晶振

日本进口西铁城高精度晶振CMX-309,CMX309FLC2.4576MT有源晶振

项目

符号

规格说明

条件

输出频率范围

f0

2.4576MHz

请联系我们以便获取其它可用频率的相关信息

电源电压

VCC

5.0V

联系我们以了解更多相关信息

储存温度

T_stg

-55 to +125

裸存

工作温度

T_use

G: -40 to +85

请联系我们查看更多资料http://www.epsoncrystal.com



频率稳定度

f_tol

J: ±50 × 10-6

 

L: ±100 × 10-6

T: ±150 × 10-6

功耗

ICC

3.5 mA Max.

无负载条件、最大工作频率

待机电流

I_std

3.3μA Max.

ST=GND

占空比

SYM

45 % to 55 %

50 % VCC , L_CMOS15 pF

输出电压

VOH

VCC-0.4V Min.

 

VOL

0.4 V Max.

 

输出负载条件

L_CMOS

15 pF Max.

 

输入电压

VIH

80% VCC Max.

ST 终端

VIL

20 % VCC Max.

上升/下降时间

tr / tf

4 ns Max.

20 % VCC to 80 % VCC , L_CMOS=15 pF

振荡启动时间

t_str

3 ms Max.

t=0 at 90 %

频率老化

f_aging

±3 × 10-6 / year Max.

+25 , 初年度,第一年

日本进口西铁城高精度晶振CMX-309,CMX309FLC2.4576MT有源晶振

CMX-309

日本进口西铁城高精度晶振CMX-309,CMX309FLC2.4576MT有源晶振

PCB设计指导

(1) 理想情况下,机械蜂鸣器应安装在一个独立于石英晶体器件的PCB板上。如果您安装在同一个PCB板上,最好使用余量或切割PCB。当应用于PCB板本身或PCB板体内部时,机械振动程度有所不同。建议遵照内部板体特性。

(2) 在设计时请参考相应的推荐封装。

(3) 在使用焊料助焊剂时,按JIS标准(JIS C 60068-2-20/IEC 60,068-2-20).来使用。

(4) 请按JIS标准(JIS Z 3282, Pb 含量 1000ppm, 0.1wt% 或更少)来使用无铅焊料。

存储事项

(1) 在更高或更低温度或高湿度环境下长时间保存晶振时,会影响频率稳定性或焊接性。请在正常温度和湿度环境下保存这些石英晶振产品,并在开封后尽可能进行安装,以免长期储藏。

正常温度和湿度:

温度:+15°C 至 +35°C,湿度 25 % RH 至 85 % RH(请参阅“测试点JIS C 60068-1 / IEC 60068-1的标准条件”章节内容)。

(2) 请仔细处理内外盒与卷带。外部压力会导致卷带受到损坏。

日本进口西铁城高精度晶振CMX-309,CMX309FLC2.4576MT有源晶振

日本进口西铁城高精度晶振CMX-309,CMX309FLC2.4576MT有源晶振

        西铁城晶振公司严格遵守国家有关工程建设法律、法规,不断提高员工的质量意识和能力,履行合约、信守承诺,坚持开拓创新,汽车电子晶振不断提升企业的施工技术素质和质量管理水平,以科学学严密的施工管理和真诚的服务让业主高度满意。

        严格遵守国家职业安全健康法律、法规,培养员工的安全意识和能力,持续改进职业安全健康管理绩效,预先采取安全措施,消除或降低危险,优先选用安全系数高的材料、设备及工艺,提高事故预防水平,陶瓷面有源晶振创造良好的工作环境,保障员工的身心健康。

        西铁城晶振公司自觉遵守有关环境法律、法规,培养员工的环保意识和能力,持续改进环保绩效,石英晶体振荡器优先使用环保型材料、设备及施工工艺,做到污染预防,最终创建具有环保、节能、适宜性特征的优质工程。

日本进口西铁城高精度晶振CMX-309,CMX309FLC2.4576MT有源晶振

CMX-309

西铁城晶振原厂代码 生产商品牌 参数 型号 类型 频率 输出 电压 频率稳定度
CMX309FLC1.544MT 西铁城晶振 OSC XO 1.544MHZ CMOS TTL SMD CMX-309 XO (Standard) 1.544MHz CMOS, TTL 5V ±100ppm
CMX309FLC1.544MT 西铁城晶振 OSC XO 1.544MHZ CMOS TTL SMD CMX-309 XO (Standard) 1.544MHz CMOS, TTL 5V ±100ppm
CMX309FLC1.8432MT 西铁城晶振 OSC XO 1.8432MHZ CMOS TTL SMD CMX-309 XO (Standard) 1.8432MHz CMOS, TTL 5V ±100ppm
CMX309FLC1.8432MT 西铁城晶振 OSC XO 1.8432MHZ CMOS TTL SMD CMX-309 XO (Standard) 1.8432MHz CMOS, TTL 5V ±100ppm
CMX309FLC2.000MT 西铁城晶振 OSC XO 2.000MHZ CMOS TTL SMD CMX-309 XO (Standard) 2MHz CMOS, TTL 5V ±100ppm
CMX309FLC2.000MT 西铁城晶振 OSC XO 2.000MHZ CMOS TTL SMD CMX-309 XO (Standard) 2MHz CMOS, TTL 5V ±100ppm
CMX309FLC2.048MT 西铁城晶振 OSC XO 2.048MHZ CMOS TTL SMD CMX-309 XO (Standard) 2.048MHz CMOS, TTL 5V ±100ppm
CMX309FLC2.048MT 西铁城晶振 OSC XO 2.048MHZ CMOS TTL SMD CMX-309 XO (Standard) 2.048MHz CMOS, TTL 5V ±100ppm
CMX309FLC2.4576MT 西铁城晶振 OSC XO 2.4576MHZ CMOS TTL SMD CMX-309 XO (Standard) 2.4576MHz CMOS, TTL 5V ±100ppm
CMX309FLC2.4576MT 西铁城晶振 OSC XO 2.4576MHZ CMOS TTL SMD CMX-309 XO (Standard) 2.4576MHz CMOS, TTL 5V ±100ppm
CMX309FLC3.072MT 西铁城晶振 OSC XO 3.072MHZ CMOS TTL SMD CMX-309 XO (Standard) 3.072MHz CMOS, TTL 5V ±100ppm
CMX309FLC3.072MT 西铁城晶振 OSC XO 3.072MHZ CMOS TTL SMD CMX-309 XO (Standard) 3.072MHz CMOS, TTL 5V ±100ppm
CMX309FLC3.579545MT 西铁城晶振 OSC XO 3.579545MHZ CMOS TTL SMD CMX-309 XO (Standard) 3.579545MHz CMOS, TTL 5V ±100ppm
CMX309FLC3.579545MT 西铁城晶振 OSC XO 3.579545MHZ CMOS TTL SMD CMX-309 XO (Standard) 3.579545MHz CMOS, TTL 5V ±100ppm
CMX309FLC3.6864MT 西铁城晶振 OSC XO 3.6864MHZ CMOS TTL SMD CMX-309 XO (Standard) 3.6864MHz CMOS, TTL 5V ±100ppm
CMX309FLC3.6864MT 西铁城晶振 OSC XO 3.6864MHZ CMOS TTL SMD CMX-309 XO (Standard) 3.6864MHz CMOS, TTL 5V ±100ppm
CMX309FLC4.000MT 西铁城晶振 OSC XO 4.000MHZ CMOS TTL SMD CMX-309 XO (Standard) 4MHz CMOS, TTL 5V ±100ppm
CMX309FLC4.000MT 西铁城晶振 OSC XO 4.000MHZ CMOS TTL SMD CMX-309 XO (Standard) 4MHz CMOS, TTL 5V ±100ppm
CMX309FLC4.096MT 西铁城晶振 OSC XO 4.096MHZ CMOS TTL SMD CMX-309 XO (Standard) 4.096MHz CMOS, TTL 5V ±100ppm
CMX309FLC4.096MT 西铁城晶振 OSC XO 4.096MHZ CMOS TTL SMD CMX-309 XO (Standard) 4.096MHz CMOS, TTL 5V ±100ppm
CMX309FLC4.9152MT 西铁城晶振 OSC XO 4.9152MHZ CMOS TTL SMD CMX-309 XO (Standard) 4.9152MHz CMOS, TTL 5V ±100ppm
CMX309FLC4.9152MT 西铁城晶振 OSC XO 4.9152MHZ CMOS TTL SMD CMX-309 XO (Standard) 4.9152MHz CMOS, TTL 5V ±100ppm
CMX309FLC5.000MT 西铁城晶振 OSC XO 5.000MHZ CMOS TTL SMD CMX-309 XO (Standard) 5MHz CMOS, TTL 5V ±100ppm
CMX309FLC5.000MT 西铁城晶振 OSC XO 5.000MHZ CMOS TTL SMD CMX-309 XO (Standard) 5MHz CMOS, TTL 5V ±100ppm
CMX309FLC6.000MT 西铁城晶振 OSC XO 6.000MHZ CMOS TTL SMD CMX-309 XO (Standard) 6MHz CMOS, TTL 5V ±100ppm
CMX309FLC6.000MT 西铁城晶振 OSC XO 6.000MHZ CMOS TTL SMD CMX-309 XO (Standard) 6MHz CMOS, TTL 5V ±100ppm
CMX309FLC6.144MT 西铁城晶振 OSC XO 6.144MHZ CMOS TTL SMD CMX-309 XO (Standard) 6.144MHz CMOS, TTL 5V ±100ppm
CMX309FLC6.144MT 西铁城晶振 OSC XO 6.144MHZ CMOS TTL SMD CMX-309 XO (Standard) 6.144MHz CMOS, TTL 5V ±100ppm
CMX309FLC7.3728MT 西铁城晶振 OSC XO 7.3728MHZ CMOS TTL SMD CMX-309 XO (Standard) 7.3728MHz CMOS, TTL 5V ±100ppm
CMX309FLC7.3728MT 西铁城晶振 OSC XO 7.3728MHZ CMOS TTL SMD CMX-309 XO (Standard) 7.3728MHz CMOS, TTL 5V ±100ppm
CMX309FLC8.000MT 西铁城晶振 OSC XO 8.000MHZ CMOS TTL SMD CMX-309 XO (Standard) 8MHz CMOS, TTL 5V ±100ppm
CMX309FLC8.000MT 西铁城晶振 OSC XO 8.000MHZ CMOS TTL SMD CMX-309 XO (Standard) 8MHz CMOS, TTL 5V ±100ppm
CMX309FLC8.192MT 西铁城晶振 OSC XO 8.192MHZ CMOS TTL SMD CMX-309 XO (Standard) 8.192MHz CMOS, TTL 5V ±100ppm
CMX309FLC8.192MT 西铁城晶振 OSC XO 8.192MHZ CMOS TTL SMD CMX-309 XO (Standard) 8.192MHz CMOS, TTL 5V ±100ppm
CMX309FLC9.8304MT 西铁城晶振 OSC XO 9.8304MHZ CMOS TTL SMD CMX-309 XO (Standard) 9.8304MHz CMOS, TTL 5V ±100ppm
CMX309FLC9.8304MT 西铁城晶振 OSC XO 9.8304MHZ CMOS TTL SMD CMX-309 XO (Standard) 9.8304MHz CMOS, TTL 5V ±100ppm

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