西铁城晶振,石英晶振,CS325S晶振,超小型表面贴片型SMD晶振,最适合使用在汽车电子领域中,也是特别要求高可靠性的引擎控制用CPU的时钟部分.低频晶振可从7.98MHz起对应,小型,超薄型具备强防焊裂性,石英晶体在极端严酷的环境条件下也能发挥稳定的起振特性,产品本身具有耐热,耐振,耐撞击等优良的耐环境特性,满足无铅焊接以及高温回流温度曲线要求,符合AEC-Q200标准.
贴片晶振晶片边缘处理技术：贴片晶振是晶片通过滚筒倒边，主要是为了去除石英晶振晶片的边缘效应，在实际操作中机器运动方式设计、滚筒的曲率半径、滚筒的长短、使用的研磨砂的型号、多少、填充物种类及多少等各项设计必须合理，有一项不完善都会使晶振晶片的边缘效应不能去除，而石英晶振晶片的谐振电阻过大，用在电路中Q值过小，从而电路不能振动或振动了不稳定。
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西铁城晶振规格
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单位
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频率范围
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石英晶振基本条件
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标准频率
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f_nom
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12-54MHZ
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标准频率
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储存温度
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T_stg
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-55°C ～ +125°C
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裸存
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工作温度
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T_use
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-40°C ～ +85°C
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标准温度
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激励功率
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DL
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200μW Max.
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推荐:1μW ～ 100μW
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频率公差
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f_— l
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±30 × 10-6 (标准),
(±15 × 10-6 ～ ±50 × 10-6 可用)
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+25°C 对于超出标准的规格说明,
请联系我们以便获取相关的信息,http://www.epsoncrystal.com/
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频率温度特征
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f_tem
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±30 × 10-6/-20°C ～ +70°C
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超出标准的规格请联系我们.
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负载电容
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CL
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10pF
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超出标准说明,请联系我们.
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串联电阻(ESR)
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R1
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如下表所示
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-40°C — +85°C, DL = 100μW
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频率老化
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f_age
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±5 × 10-6 / year Max.
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+25°C,第一年
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我们可以改善的频率输出的偏差超过范围由以下几个方法：
调整外部电容，Cd和CG的值。
如果由频率计数器测量频率比目标频率高，要增加石英晶振外部电容CL（或Cd以及C 8的值），以降低频率到我们的目标频率，反之亦然。
可以采用不同负载电容（CL）的晶振试用。
试用晶振具有较低电容若频率比目标频率超高很多的话。
请检查波形幅度是否是正常或不使用示波器，正确的电容是通过和频率调节到目标之后。根据该波形振幅收缩，由于增加外部电容，请使用方法2调整频率（较低的外部电容，并采用低电容的晶体）的情况。
频率输出频率的目标只有三分之一。
贴片晶振具有多种振动模式，如基频， 3次泛音，5次泛音等等。当基频模式应用时，晶振的电阻是最低的，这意味着它是最简单的石英晶体振荡器。当第三色调模式被应用，一个放大电路必须被利用以降低基本模式的频率反馈到所述延伸小于所述第三音调模式。因此，如果频率是只有三分之一的目标频率时，要检查是否放大处理电路被施加或它的设定值就足够了，因为电路的环境适合于基本模式，而不是第三次泛音调模式。
该电路可能不振荡，如果放大电路不施加或它的设定值是不足够的。
西铁城晶振,石英晶振,CS325S晶振
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西铁城晶振,石英晶振,CS325S晶振
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