DIP四脚晶振,TF晶振,高性能石英振荡器,TFETBCJANF-10.000000晶振

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泰艺晶振,有源晶振,TF晶振,TFETBCJANF-10.000000晶振

频率：1.25-40MHZ

尺寸：20.4*12.8mm

目前小型的智能手机里面所应用的就是小型的低频石英晶体,该产品适用于无线通讯系统,无线局域网,已实现低相位噪声,低电压,低消费电流和高的稳定度,小型,质量轻等产品特点,产品本身编带包装方式,可对应自动高的速贴片机应用,以及高的温回流焊接（产品无铅对应）,为无铅产品.

订购热线：0755-27838351

泰艺晶振,有源晶振,TF晶振,TFETBCJANF-10.000000晶振,有源晶振,是指晶体本身起振需要外部电压供应,起振后可直接驱动CMOS 集成电路,产品本身已实现与薄型IC（TSSOP封装,TVSOP封装）同样的1mm厚度,断开时的消费电流是15 µA以下,编带包装方式可对应自动搭载及IR回流焊接（无铅对应）产品有几种电压供选1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以应对不同IC产品需要..

有源晶振高频振荡器使用IC与晶片设计匹配技术：有源晶振是高频振荡器研发及生产过程必须要解决的技术难题。在设计过程中除了要考虑石英晶体谐振器具有的电性外，还有石英晶体振荡器的电极设计等其它的特殊性，必须考虑石英晶体振荡器的供应电压、起动电压和产品上升时间、下降时间等相关参数。

项目	符号	规格说明	条件
输出频率范围	f₀	1.25-40MHz	请联系我们以便获取其它可用频率的相关信息
电源电压	V_CC	2.5-5.0V	请联系我们以了解更多相关信息
储存温度	T_stg	-55℃ to +125℃	裸存
工作温度	T_use	G: -40℃ to +85℃	请联系我们查看更多资料http://www.epsoncrystal.com
		H: -40℃ to +105℃
		J: -40℃ to +125℃
频率稳定度	f_tol	J: ±50 × 10^-6
		L: ±100 × 10^-6
		T: ±150 × 10^-6
功耗	I_CC	3.5 mA Max.	无负载条件、最大工作频率
待机电流	I_std	3.3μA Max.	ST=GND
占空比	SYM	45 % to 55 %	50 % VCC 极, L_CMOS≦15 pF
输出电压	V_OH	V_CC-0.4V Min.
输出电压	V_OL	0.4 V Max.
输出负载条件	L_CMOS	15 pF Max.
输入电压	V_IH	80% V_CC Max.	ST 终端
输入电压	V_IL	20 % V_CC Max.	ST 终端
上升/下降时间	tr / tf	4 ns Max.	20 % V_CC to 80 % V_CC 极, L_CMOS=15 pF
振荡启动时间	t_str	3 ms Max.	t=0 at 90 %
频率老化	f_aging	±3 × 10^-6 / year Max.	+25 ℃, 初年度,第一年

泰艺有源晶振编码列表：

Manufacturer Part Number原厂代码	Manufacturer品牌	Series型号	Type 类型	Frequency 频率	Voltage - Supply电压	Size / Dimension 尺寸	Height - Seated (Max)高度
TFETBCJANF-10.000000	Taitien	TF	TCXO	10MHz	2.8 V ~ 3.3 V	0.803" L x 0.504" W (20.40mm x 12.80mm)	0.307" (7.80mm)
TFETBCJANF-25.000000	Taitien	TF	TCXO	25MHz	2.8 V ~ 3.3 V	0.803" L x 0.504" W (20.40mm x 12.80mm)	0.307" (7.80mm)
TFCCBIKANF-10.000000	Taitien	TF	TCXO	10MHz	5V	0.803" L x 0.504" W (20.40mm x 12.80mm)	0.307" (7.80mm)
TFETBEJANF-16.384000	Taitien	TF	TCXO	16.384MHz	2.8 V ~ 3.3 V	0.803" L x 0.504" W (20.40mm x 12.80mm)	0.307" (7.80mm)
TFETBEJANF-20.000000	Taitien	TF	TCXO	20MHz	2.8 V ~ 3.3 V	0.803" L x 0.504" W (20.40mm x 12.80mm)	0.307" (7.80mm)
TFETBEJANF-25.000000	Taitien	TF	TCXO	25MHz	2.8 V ~ 3.3 V	0.803" L x 0.504" W (20.40mm x 12.80mm)	0.307" (7.80mm)
TFETBLJANF-19.440000	Taitien	TF	TCXO	19.44MHz	2.8 V ~ 3.3 V	0.803" L x 0.504" W (20.40mm x 12.80mm)	0.307" (7.80mm)

TF 20.4_12.8

泰艺有源晶振产品列表：

TA TF

插件型晶振安装注意事项：

安装时的注意事项导脚型晶振• 构造圆柱型晶振 (VT, VTC) 用玻璃密封 (参阅图 1 和图 2)。

修改插件晶振弯曲导脚的方法(1) 要修改弯曲的导脚时，以及要取出晶振等情况下不能强制拔出导脚，如果强制地拔出导脚，会引起玻璃的破裂，而导致壳内真空浓度的下降，有可能促使晶振特性的恶化以及晶振芯片的破损(参阅图 3)。(2) 要修改弯曲的导脚时，要压住外壳基侧的导脚，且从上下方压住弯曲的部位，再进行修改(参阅图 4)

弯曲导脚的方法(1) 将导脚弯曲之后并进行焊接时，导脚上要留下离外壳0.5mm的直线部位。如果不留出导脚的直线部位而将导脚弯曲，有可能导致玻璃的破碎 (参阅图5 和图6)。(2) 在导脚焊接完毕之后再将导脚弯曲时，务必请留出大于外壳直径长度的空闲部分 (参阅图7)。

如果直接在外壳部位焊接，会导致壳内真空浓度的下降,使晶振特性恶化以及晶振芯片的破损。应注意将晶振平放时，不要使之与导脚相碰撞，请放长从外壳部位到线路板为止的导脚长度 (L) ，并使之大于外壳的直径长度(D)。

焊接方法焊接部位仅局限于导脚离开玻璃纤部位 1.0mm 以上的部位，并且请不要对外壳进行焊接。另外，如果利用高温或长时间对导脚部位进行加热，会导致晶振特性的恶化以及晶振的破损。因此，请注意对导脚部位的加热温度要控制在 300°C 以下，且加热时间要控制在5秒以内 (外壳的部位的加热温度要控制在150°C以下)。

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泰艺晶振通过产品生命周期提高整体节能贡献和环境绩效的举措。制造-环境友好生产—优化-提高性能/效率的节能贡献—通过制造致密/复杂产品减少资源节约—环境消除/减少环境负荷物质—这些是倡议的支柱。

泰艺晶振科技股份有限公司，插件型TCXO晶振依据‘ISO 14001环境/OHSAS-18001安卫管理系统’要求制定本‘环境/安卫手册’，以界定本公司环境/安卫管理系统之范围，包括任何排除之细节及调整，并指引环境/安卫管理系统与各书面、办法书之对应关系，长方形插件有源晶振包含在环境/安卫管理系统内之流程顺序及交互作用的描述。本公司环境/安卫管理系统之适用范围包含公司所有的活动、产品及服务。