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泰艺晶振TF,TFETBCJANF-25.000000晶振
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项目
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符号
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规格说明
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条件
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输出频率范围
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f0
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25MHz
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电源电压
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VCC
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2.8 V ~ 3.3 V
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请联系我们以了解更多相关信息
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储存温度
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T_stg
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-55℃ to +125℃
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裸存
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工作温度
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T_use
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G: -40℃ to +85℃
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H: -40℃ to +105℃
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J: -40℃ to +125℃
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频率稳定度
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f_tol
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J: ±50 × 10-6
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L: ±100 × 10-6
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T: ±150 × 10-6
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功耗
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ICC
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3.5 mA Max.
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无负载条件、最大工作频率
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待机电流
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I_std
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3.3μA Max.
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ST=GND
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占空比
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SYM
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45 % to 55 %
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50 % VCC 极, L_CMOS≦15 pF
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输出电压
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VOH
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VCC-0.4V Min.
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VOL
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0.4 V Max.
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输出负载条件
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L_CMOS
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15 pF Max.
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输入电压
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VIH
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80% VCC Max.
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ST 终端
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VIL
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20 % VCC Max.
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上升/下降时间
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tr / tf
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4 ns Max.
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20 % VCC to 80 % VCC 极, L_CMOS=15 pF
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振荡启动时间
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t_str
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3 ms Max.
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t=0 at 90 %
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频率老化
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f_aging
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±3 × 10-6 / year Max.
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+25 ℃, 初年度,第一年
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泰艺晶振TF,TFETBCJANF-25.000000晶振
泰艺晶振TF,TFETBCJANF-25.000000晶振
插件型晶振安装注意事项：
安装时的注意事项导脚型晶振• 构造圆柱型晶振 (VT, VTC) 用玻璃密封 (参阅图 1 和图 2)。
修改插件晶振弯曲导脚的方法(1) 要修改弯曲的导脚时，以及要取出晶振等情况下不能强制拔出导脚，如果强制地拔出导脚，会引起玻璃的破裂，而导致壳内真空浓度的下降，有可能促使晶振特性的恶化以及晶振芯片的破损(参阅图 3)。(2) 要修改弯曲的导脚时，要压住外壳基侧的导脚，且从上下方压住弯曲的部位，再进行修改(参阅图 4)
弯曲导脚的方法(1) 将导脚弯曲之后并进行焊接时，导脚上要留下离外壳0.5mm的直线部位。如果不留出导脚的直线部位而将导脚弯曲，有可能导致玻璃的破碎 (参阅图5 和图6)。(2) 在导脚焊接完毕之后再将导脚弯曲时，务必请留出大于外壳直径长度的空闲部分 (参阅图7)。
如果直接在外壳部位焊接，会导致壳内真空浓度的下降,使晶振特性恶化以及晶振芯片的破损。应注意将晶振平放时，不要使之与导脚相碰撞，请放长从外壳部位到线路板为止的导脚长度 (L) ，并使之大于外壳的直径长度(D)。
焊接方法焊接部位仅局限于导脚离开玻璃纤部位 1.0mm 以上的部位，并且请不要对外壳进行焊接。另外，如果利用高温或长时间对导脚部位进行加热，会导致晶振特性的恶化以及晶振的破损。因此，请注意对导脚部位的加热温度要控制在 300°C 以下，且加热时间要控制在5秒以内 (外壳的部位的加热温度要控制在150°C以下)。
泰艺晶振TF,TFETBCJANF-25.000000晶振
泰艺晶振TF,TFETBCJANF-25.000000晶振
泰艺晶振通过产品生命周期提高整体节能贡献和环境绩效的举措。制造-环境友好生产—优化-提高性能/效率的节能贡献—通过制造致密/复杂产品减少资源节约—环境消除/减少环境负荷物质—这些是倡议的支柱。
泰艺晶振科技股份有限公司，插件型TCXO晶振依据‘ISO 14001环境/OHSAS-18001安卫管理系统’要求制定本‘环境/安卫手册’，以界定本公司环境/安卫管理系统之范围，包括任何排除之细节及调整，并指引环境/安卫管理系统与各书面、办法书之对应关系，长方形插件有源晶振包含在环境/安卫管理系统内之流程顺序及交互作用的描述。本公司环境/安卫管理系统之适用范围包含公司所有的活动、产品及服务。
泰艺晶振TF,TFETBCJANF-25.000000晶振
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TAITIEN原厂代码
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品牌
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型号
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类型
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频率
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输出
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电压
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频率稳定度
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TAETBCJANF-25.000000
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Taitien
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TA
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TCXO
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25MHz
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CMOS
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2.8 V ~ 3.3 V
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±1ppm
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TAETBCSANF-10.000000
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Taitien
|
TA
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TCXO
|
10MHz
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Clipped Sine Wave
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2.8 V ~ 3.3 V
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±1ppm
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TAETBEJANF-12.800000
|
Taitien
|
TA
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TCXO
|
12.8MHz
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CMOS
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2.8 V ~ 3.3 V
|
±1ppm
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TFETBCJANF-10.000000
|
Taitien
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TF
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TCXO
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10MHz
|
CMOS
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2.8 V ~ 3.3 V
|
±1ppm
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TFETBCJANF-25.000000
|
Taitien
|
TF
|
TCXO
|
25MHz
|
CMOS
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2.8 V ~ 3.3 V
|
±1ppm
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TFCCBIKANF-10.000000
|
Taitien
|
TF
|
TCXO
|
10MHz
|
CMOS
|
5V
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±1ppm
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TFETBEJANF-16.384000
|
Taitien
|
TF
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TCXO
|
16.384MHz
|
CMOS
|
2.8 V ~ 3.3 V
|
±1ppm
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TFETBEJANF-20.000000
|
Taitien
|
TF
|
TCXO
|
20MHz
|
CMOS
|
2.8 V ~ 3.3 V
|
±1ppm
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TFETBEJANF-25.000000
|
Taitien
|
TF
|
TCXO
|
25MHz
|
CMOS
|
2.8 V ~ 3.3 V
|
±1ppm
|
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TFETBLJANF-19.440000
|
Taitien
|
TF
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TCXO
|
19.44MHz
|
CMOS
|
2.8 V ~ 3.3 V
|
±1ppm
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TFCABLJANF-11.059200
|
Taitien
|
TF
|
TCXO
|
11.0592MHz
|
CMOS
|
5V
|
±1ppm
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TAEAALJANF-19.200000
|
Taitien
|
TA
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VCTCXO
|
19.2MHz
|
CMOS
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2.8 V ~ 3.3 V
|
±500ppb
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TAETALJANF-20.000000
|
Taitien
|
TA
|
TCXO
|
20MHz
|
CMOS
|
2.8 V ~ 3.3 V
|
±500ppb
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TAETALSANF-40.000000
|
Taitien
|
TA
|
TCXO
|
40MHz
|
Clipped Sine Wave
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2.8 V ~ 3.3 V
|
±500ppb
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TFETALJANF-20.000000
|
Taitien
|
TF
|
TCXO
|
20MHz
|
CMOS
|
2.8 V ~ 3.3 V
|
±500ppb
|
|
TFETALSANF-40.000000
|
Taitien
|
TF
|
TCXO
|
40MHz
|
Clipped Sine Wave
|
2.8V
|
±500ppb
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TFETTCJANF-12.288000
|
Taitien
|
TF
|
TCXO
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12.288MHz
|
CMOS
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2.8 V ~ 3.3 V
|
±4.6ppm
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