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百利通亚陶晶振US,US3840005Z无源晶振
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晶振规格
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单位
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频率范围
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石英晶振基本条件
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标准频率
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f_nom
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26~66MHZ
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标准频率
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储存温度
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T_stg
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-40°C ～ +85°C
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裸存
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工作温度
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T_use
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-20°C ～ +85°C
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标准温度
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激励功率
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DL
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10~100μW Max.
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推荐:1μW ～ 100μW
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频率公差
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f_— l
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±10~50ppm× 10-6 (标准),
(±15 × 10-6 ～ ±50 × 10-6 可用)
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+25°C 对于超出标准的规格说明,
请联系我们以便获取相关的信息,http://www.epsoncrystal.com/
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频率温度特征
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f_tem
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±10~50ppm × 10-6/-20°C ～ +70°C
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超出标准的规格请联系我们.
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负载电容
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CL
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8~20pF
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不同负载电容要求,请联系我们.
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串联电阻(ESR)
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R1
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如下表所示
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-40°C — +85°C, DL = 100μW
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频率老化
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f_age
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±3,5× 10-6 / year Max.
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+25°C,第一年
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百利通亚陶晶振US,US3840005Z无源晶振
百利通亚陶晶振US,US3840005Z无源晶振
存储事项:(1) 在更高或更低温度或高湿度环境下长时间保存晶振时,会影响频率稳定性或焊接性。请在正常温度和湿度环境下保存这些石英无源晶振产品,并在开封后尽可能进行安装,以免长期储藏。 正常温度和湿度： 温度：+15°C 至 +35°C,湿度 25 % RH 至 85 % RH。 (2) 请仔细处理内外盒与卷带。外部压力会导致卷带受到损坏。百利通亚陶晶振,贴片晶振,US晶振,石英晶体谐振器
耐焊性：将晶振加热包装材料至+150°C以上会破坏产品特性或损害产品。如需在+150°C以上焊接进口晶振,建议使用SMD晶振产品。在下列回流条件下,对石英晶振产品甚至SMD贴片晶振使用更高温度,会破坏晶振特性。建议使用下列配置情况的回流条件。安装这些贴片晶振之前,应检查焊接温度和时间。同时,在安装条件更改的情况下,请再次进行检查。如果需要焊接的晶振产品在下列配置条件下进行焊接,请联系我们以获取耐热的相关信息。
PCB设计指导:(1) 理想情况下,机械蜂鸣器应安装在一个独立于金属面谐振器器件的PCB板上。如果您安装在同一个PCB板上,最好使用余量或切割PCB。当应用于PCB板本身或PCB板体内部时,机械振动程度有所不同。建议遵照内部板体特性。(2) 在设计时请参考相应的推荐封装。(3) 在使用焊料助焊剂时,按JIS标准(JIS C 60068-2-20/IEC 60,068-2-20).来使用。(4) 请按JIS标准(JIS Z 3282, Pb 含量 1000ppm, 0.1wt% 或更少)来使用无铅焊料。
百利通亚陶晶振US,US3840005Z无源晶振
百利通亚陶晶振US,US3840005Z无源晶振
百利通亚陶晶振集团保持就健康安全环境问题与临近摄取进行对话.通过小体积贴片晶体在环境控制方面实施优秀的管理实践,以保护环境和全球运作相关的自然资源.向员工灌输环境价值观,在所有的,石英晶振,有源晶体,压控振荡器产品和生产过程中应用最佳环境实用技术,为全球可持续发展做出贡献.百利通亚陶晶振,贴片晶振,US晶振,石英晶体谐振器
我们将依据技术进步以及对安全、健康和环境科学全新的解释持续地改进我们的业务.我们将追求在资源利用上的零废物率.压电石英晶体元器件、金属壳4脚谐振器、有源晶体原材料将得到循环和再利用以最大限度地减少对其处理量,同时节约资源.在废物的滋生地,废物将被安全、负责地处理掉.
百利通亚陶晶振减少污染物排放,对不可再生的资源进行有效利用.减少废物的产生,对其排放的责任进行有效管理,有效地使用能源.通过5032无源晶振,贴片晶振,温补晶振,石英晶体振荡器设计工艺程序对员工进行培训保护环境以及人们的健康和安全.提供安全使用和废置我们的产品的信息,对环境有重大健康安全和环境的运营现状进行纠正.
百利通亚陶晶振US,US3840005Z无源晶振
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百利通亚陶原厂编码
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生产厂家
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型号
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频率
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频率稳定度
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频率偏差
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负载电容
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US3200005Z
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Diodes Incorporated
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SaRonix-eCera™ US
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32MHz
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±10ppm
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±10ppm
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8pF
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US3200005Z
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Diodes Incorporated
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SaRonix-eCera™ US
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32MHz
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±10ppm
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±10ppm
|
8pF
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US3200005Z
|
Diodes Incorporated
|
SaRonix-eCera™ US
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32MHz
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±10ppm
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±10ppm
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8pF
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FP0800056Z
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Diodes Incorporated
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SaRonix-eCera™ FP
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8MHz
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±30ppm
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±30ppm
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18pF
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FP0800056Z
|
Diodes Incorporated
|
SaRonix-eCera™ FP
|
8MHz
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±30ppm
|
±30ppm
|
18pF
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FP0800056Z
|
Diodes Incorporated
|
SaRonix-eCera™ FP
|
8MHz
|
±30ppm
|
±30ppm
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18pF
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F80800016
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Diodes Incorporated
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SaRonix-eCera™ F8
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8MHz
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±50ppm
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±50ppm
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8pF
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F80800016
|
Diodes Incorporated
|
SaRonix-eCera™ F8
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8MHz
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±50ppm
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±50ppm
|
8pF
|
|
F80800016
|
Diodes Incorporated
|
SaRonix-eCera™ F8
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8MHz
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±50ppm
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±50ppm
|
8pF
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FP0800018
|
Diodes Incorporated
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SaRonix-eCera™ FP
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8MHz
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±50ppm
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±50ppm
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18pF
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FP0800018
|
Diodes Incorporated
|
SaRonix-eCera™ FP
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8MHz
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±50ppm
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±50ppm
|
18pF
|
|
FP0800018
|
Diodes Incorporated
|
SaRonix-eCera™ FP
|
8MHz
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±50ppm
|
±50ppm
|
18pF
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FP0730017Z
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Diodes Incorporated
|
SaRonix-eCera™ FP
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7.3728MHz
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±30ppm
|
±30ppm
|
18pF
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FP0730017Z
|
Diodes Incorporated
|
SaRonix-eCera™ FP
|
7.3728MHz
|
±30ppm
|
±30ppm
|
18pF
|
|
FP0730017Z
|
Diodes Incorporated
|
SaRonix-eCera™ FP
|
7.3728MHz
|
±30ppm
|
±30ppm
|
18pF
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US3840005Z
|
Diodes Incorporated
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SaRonix-eCera™ US
|
38.4MHz
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±10ppm
|
±10ppm
|
10pF
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US3840005Z
|
Diodes Incorporated
|
SaRonix-eCera™ US
|
38.4MHz
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±10ppm
|
±10ppm
|
10pF
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|
US3840005Z
|
Diodes Incorporated
|
SaRonix-eCera™ US
|
38.4MHz
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±10ppm
|
±10ppm
|
10pF
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