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泰艺晶振TY,TYKTBLSANF-16.000000晶振
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项目
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符号
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规格说明
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条件
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输出频率范围
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f0
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13-52MHz
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请联系我们以便获取其它可用频率的相关信息
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电源电压
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VCC
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1.8-2.8V
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请联系我们以了解更多相关信息
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储存温度
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T_stg
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-55℃ to +125℃
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裸存
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工作温度
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T_use
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G: -40℃ to +85℃
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H: -40℃ to +105℃
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J: -40℃ to +125℃
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频率稳定度
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f_tol
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J: ±50 × 10-6
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L: ±100 × 10-6
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T: ±150 × 10-6
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功耗
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ICC
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3.5 mA Max.
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无负载条件、最大工作频率
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待机电流
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I_std
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3.3μA Max.
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ST=GND
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占空比
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SYM
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45 % to 55 %
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50 % VCC 极, L_CMOS≦15 pF
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输出电压
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VOH
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VCC-0.4V Min.
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VOL
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0.4 V Max.
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输出负载条件
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L_CMOS
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15 pF Max.
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输入电压
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VIH
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80% VCC Max.
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ST 终端
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VIL
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20 % VCC Max.
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上升/下降时间
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tr / tf
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4 ns Max.
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20 % VCC to 80 % VCC 极, L_CMOS=15 pF
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振荡启动时间
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t_str
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3 ms Max.
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t=0 at 90 %
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频率老化
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f_aging
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±3 × 10-6 / year Max.
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+25 ℃, 初年度,第一年
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泰艺晶振TY,TYKTBLSANF-16.000000晶振
泰艺晶振TY,TYKTBLSANF-16.000000晶振
如果由频率计数器测量的频率比目标频率高，要增加石英晶体的电容（CL，或Cd以及C 8）的值，以降低频率到目标频率，反之亦然。请检查波形幅度是否改善或没有经过我们调整频率。如果它的改善，这表示该电路的原始设计不是调谐到最佳共振点为晶体的情况。该贴片晶振应正常后，谐振点的调整。如果波形幅度甚至没有提高的频率非常接近目标频率，我们可以通过以下三种方法改进：
方法1：降低产品线路外部电容（Cd和CG）的值，并通过晶体具有较低负载电容（CL）。
方法2：采用小电阻（RR）的晶体。
方法3：使用镉和CG的不等价的设计。
我们可以增加镉（XOUT）的负载电容和降低CG（辛）的负载电容以提高从辛波形幅度将在其后端电路中使用的输出。我们建议您使用上面的方法来节省成本，保证安全。请用频率计数器来测量所述晶体，以确保经调整频率仍然满足原说明书后的波形的振幅进行了改进。如果频率不符合规格，请采用石英晶体合适的CL值为根据您的目标频率。请采用晶振具有较低的CL如果频率比目标频率，反之亦然高得多系统不能正常工作，由于输出频率会偏差很大。
泰艺晶振TY,TYKTBLSANF-16.000000晶振
泰艺晶振TY,TYKTBLSANF-16.000000晶振
泰艺晶振电子自公司成立以来，秉持对环境保护承诺宣言：『还给后代一个干净的地球』，所有活动应遵从以下政策：
1. 晶振,石英晶振,有源晶振,压控晶振自设计阶段至成品完成后之服务即应考察该产品对环境产生之冲击，2520进口晶振避免使用会造成污染之原物料及制程；对污染之防治应从根源解决问题，以《不产生、不使用》为最高指导原则。
2.若无法避免需产生或使用时，应管制单位产生量及使用量，做持续性之追踪管制、改进并制定预防方案或是降低污染量，水电等消耗性（能）资源使用，应从系统研究改善使用效率，以达成节约能源之目标。
3. 泰艺晶振公司所有活动皆遵循环保法规及承诺，作好绿色设计与生产以及污染预防，减少使用危害环境的原物料，手机石英振荡器积极节约材料资源，降低对整体环境冲击的影响，实施相关预防矫正、持续改善作业，落实与维护环境保护，响应全球环保运动。
4.藉由环境稽核确认环境改善绩效，使公司所有活动过程均能达成环境目标及标的，并期望透过泰艺晶振公司全体员工共同努力，贡献爱护地球的一份心力。
泰艺晶振TY,TYKTBLSANF-16.000000晶振
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TAITIEN原厂代码
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品牌
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型号
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类型
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频率
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输出
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电压
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频率稳定度
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TYEAPLSANF-40.000000
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Taitien
|
TY
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VCTCXO
|
40MHz
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Clipped Sine Wave
|
2.8 V ~ 3.3 V
|
±1.5ppm
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TYKTBLSANF-16.000000
|
Taitien
|
TY
|
TCXO
|
16MHz
|
Clipped Sine Wave
|
1.8V
|
±1ppm
|
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TYKTCCSANF-38.400000
|
Taitien
|
TY
|
TCXO
|
38.4MHz
|
Clipped Sine Wave
|
1.8V
|
±2ppm
|
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TYETBCSANF-32.000000
|
Taitien
|
TY
|
TCXO
|
32MHz
|
Clipped Sine Wave
|
2.8 V ~ 3.3 V
|
±1ppm
|
|
TYETBLSANF-38.400000
|
Taitien
|
TY
|
TCXO
|
38.4MHz
|
Clipped Sine Wave
|
2.8 V ~ 3.3 V
|
±1ppm
|
|
TYEAPCSANF-16.367667
|
Taitien
|
TY
|
VCTCXO
|
16.367667MHz
|
Clipped Sine Wave
|
2.8 V ~ 3.3 V
|
±1.5ppm
|
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TYEAPCSANF-40.000000
|
Taitien
|
TY
|
VCTCXO
|
40MHz
|
Clipped Sine Wave
|
2.8 V ~ 3.3 V
|
±1.5ppm
|
|
TYJADCSANF-16.367667
|
Taitien
|
TY
|
VCTCXO
|
16.367667MHz
|
Clipped Sine Wave
|
2.5V
|
±2.5ppm
|
|
TYJADCSANF-40.000000
|
Taitien
|
TY
|
VCTCXO
|
40MHz
|
Clipped Sine Wave
|
2.5V
|
±2.5ppm
|
|
TYJTPLSANF-40.000000
|
Taitien
|
TY
|
TCXO
|
40MHz
|
Clipped Sine Wave
|
2.5V
|
±1.5ppm
|
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TYKTBCSANF-26.000000
|
Taitien
|
TY
|
TCXO
|
26MHz
|
Clipped Sine Wave
|
1.8V
|
±1ppm
|
|
TYKTCCSANF-19.200000
|
Taitien
|
TY
|
TCXO
|
19.2MHz
|
Clipped Sine Wave
|
1.8V
|
±2ppm
|
|
TYEACLSANF-26.000000
|
Taitien
|
TY
|
VCTCXO
|
26MHz
|
Clipped Sine Wave
|
2.8 V ~ 3.3 V
|
±2ppm
|
|
TYETCCSANF-26.000000
|
Taitien
|
TY
|
TCXO
|
26MHz
|
Clipped Sine Wave
|
2.8 V ~ 3.3 V
|
±10ppm
|
|
TYETCCSANF-40.000000
|
Taitien
|
TY
|
TCXO
|
40MHz
|
Clipped Sine Wave
|
2.8 V ~ 3.3 V
|
±10ppm
|
|
TYETPCSANF-19.200000
|
Taitien
|
TY
|
TCXO
|
19.2MHz
|
Clipped Sine Wave
|
2.8 V ~ 3.3 V
|
±1.5ppm
|
|
TYJABCSANF-16.367667
|
Taitien
|
TY
|
VCTCXO
|
16.367667MHz
|
Clipped Sine Wave
|
2.5V
|
±1ppm
|
|
TYKTDLSANF-50.000000
|
Taitien
|
TY
|
TCXO
|
50MHz
|
Clipped Sine Wave
|
1.8V
|
±2.5ppm
|
|
TYETBLSANF-12.800000
|
Taitien
|
TY
|
TCXO
|
12.8MHz
|
Clipped Sine Wave
|
2.8 V ~ 3.3 V
|
±1ppm
|
|
TYJABCSANF-40.000000
|
Taitien
|
TY
|
VCTCXO
|
40MHz
|
Clipped Sine Wave
|
2.5V
|
±1ppm
|
|
TYKTBLSANF-19.200000
|
Taitien
|
TY
|
TCXO
|
19.2MHz
|
Clipped Sine Wave
|
1.8V
|
±1ppm
|
|
TYKACCSANF-26.000000
|
Taitien
|
TY
|
VCTCXO
|
26MHz
|
Clipped Sine Wave
|
1.8V
|
±2ppm
|
|
TYKACCSANF-40.000000
|
Taitien
|
TY
|
VCTCXO
|
40MHz
|
Clipped Sine Wave
|
1.8V
|
±2ppm
|
|
TYETCCSANF-50.000000
|
Taitien
|
TY
|
TCXO
|
50MHz
|
Clipped Sine Wave
|
2.8 V ~ 3.3 V
|
±10ppm
|
|
TYETBCSANF-20.000000
|
Taitien
|
TY
|
TCXO
|
20MHz
|
Clipped Sine Wave
|
2.8 V ~ 3.3 V
|
±1ppm
|
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