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百利通亚陶晶振FJ,FJ2400011有源晶振

频率:1-156.25MHZ

尺寸:2.5*2.0mm

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百利通亚陶晶振FJ,FJ2400011有源晶振

晶振规格

单位

频率范围

石英晶振基本条件

标准频率

f_nom

1-156.25MHZ

标准频率

储存温度

T_stg

-55°C ~ +125°C

裸存

工作温度

T_use

-40°C ~ +85°C

标准温度

激励功率

DL

10~100μW Max.

推荐:1μW ~ 100μW

频率公差

f_— l

±20ppm× 10-6 (标准),
(±15 × 10-6 ~ ±50 × 10-6 可用)

+25°C 对于超出标准的规格说明,
请联系我们以便获取相关的信息,http://www.epsoncrystal.com/

频率温度特征

f_tem

±10,20,30,50ppm × 10-6/-20°C ~ +70°C

超出标准的规格请联系我们.

负载电容

CL

15pF

不同负载电容要求,请联系我们.

电压

V

2.97-3.63V


频率老化

f_age

±3× 10-6 / year Max.

+25°C,第一年


百利通亚陶晶振FJ,FJ2400011有源晶振

FJ-3.3V 2.5_2.0 CMOS

百利通亚陶晶振FJ,FJ2400011有源晶振




贴片石英晶振自动安装和真空化引发的冲击会破坏产品特性并影响这些产品。请设置安装条件以尽可能将冲击降至最低,并确保在安装前未对晶振特性产生影响。条件改变时,请重新检查安装条件。同时,在安装前后,请确保石英晶振产品未撞击机器或其他电路板等。

每个封装类型的注意事项

(1)陶瓷包装晶振与SON产品:在焊接陶瓷封装晶振和SON产品 (陶瓷包装是指晶振外观采用陶瓷制品) 之后,弯曲电路板会因机械应力而导致焊接部分剥落或封装分裂(开裂)。尤其在焊接这些产品之后进行电路板切割时,务必确保在应力较小的位置布局晶体并采用应力更小的切割方法。

(2)陶瓷包装石英晶振:在一个不同扩张系数电路板(环氧玻璃)上焊接陶瓷封装石英晶振时,在温度长时间重复变化时可能导致端子焊接部分发生断裂,请事先检查焊接特性。

(3)柱面式产品:产品的玻璃部分直接弯曲引脚或用力拉伸引脚会导致在引脚根部发生密封玻璃分裂(开裂),也可能导致气密性和产品特性受到破坏。当有源晶振的引脚需弯曲成下图所示形状时,应在这种场景下留出0.5mm的引脚并将其托住,以免发生分裂。当该引脚需修复时,请勿拉伸,托住弯曲部分进行修正。在该密封部分上施加一定压力,会导致气密性受到损坏。所以在此处请不要施加压力。另外,为避负机器共振造成引脚疲劳切断,建议用粘着剂将产品固在定电路板上。





百利通亚陶晶振FJ,FJ2400011有源晶振

百利通亚陶晶振FJ,FJ2400011有源晶振

        百利通亚陶晶振全体员工都积极地投身环保活动,希望能够在兼顾环保性和经济性的同时,实现可持续发展。尤其是在节能、温室效应对策方面,引进节能设备、安装太阳能发电系统、实施墙面绿化等开展了一系列节能活动。2.5*2.0mm金属面石英晶振此外,还开展了保护生物多样性等活动。

        百利通亚陶晶振为区域发展所做的贡献受到了高度评价.百利通亚陶晶振的各项能源、资源消耗指标和排放指标达到国内领先、国际先进水平。汽车电子晶振实施创新战略,提高自主创新能力,确保公司可持续发展。实施节约战略,提高建设节约环保型企业能力,确保实现节能环保规划目标。





百利通亚陶晶振FJ,FJ2400011有源晶振

FJ(1)

FJ(2)

百利通亚陶原厂代码 生产商品牌 型号 类型 频率 输出 电压 频率稳定度
FJ2400011 Diodes Incorporated SaRonix-eCera™ FJ XO (Standard) 24MHz LVCMOS 3.3V ±50ppm
FJ2400011 Diodes Incorporated SaRonix-eCera™ FJ XO (Standard) 24MHz LVCMOS 3.3V ±50ppm
FJ2400011 Diodes Incorporated SaRonix-eCera™ FJ XO (Standard) 24MHz LVCMOS 3.3V ±50ppm
FJ2400002 Diodes Incorporated SaRonix-eCera™ FJ XO (Standard) 24MHz LVCMOS 1.8V ±50ppm
FJ2400002 Diodes Incorporated SaRonix-eCera™ FJ XO (Standard) 24MHz LVCMOS 1.8V ±50ppm
FJ2400002 Diodes Incorporated SaRonix-eCera™ FJ XO (Standard) 24MHz LVCMOS 1.8V ±50ppm
FJ1600002 Diodes Incorporated SaRonix-eCera™ FJ XO (Standard) 16MHz LVCMOS 3.3V ±50ppm
FJ1600002 Diodes Incorporated SaRonix-eCera™ FJ XO (Standard) 16MHz LVCMOS 3.3V ±50ppm
FJ1600002 Diodes Incorporated SaRonix-eCera™ FJ XO (Standard) 16MHz LVCMOS 3.3V ±50ppm
FJ1120001Z Diodes Incorporated SaRonix-eCera™ FJ XO (Standard) 11.2896MHz LVCMOS 3.3V ±25ppm
FJ1120001Z Diodes Incorporated SaRonix-eCera™ FJ XO (Standard) 11.2896MHz LVCMOS 3.3V ±25ppm
FJ1120001Z Diodes Incorporated SaRonix-eCera™ FJ XO (Standard) 11.2896MHz LVCMOS 3.3V ±25ppm
FJ2500009 Diodes Incorporated SaRonix-eCera™ FJ XO (Standard) 25MHz LVCMOS 3.3V ±25ppm
FJ2500009 Diodes Incorporated SaRonix-eCera™ FJ XO (Standard) 25MHz LVCMOS 3.3V ±25ppm
FJ2500009 Diodes Incorporated SaRonix-eCera™ FJ XO (Standard) 25MHz LVCMOS 3.3V ±25ppm
FJ2500036Z Diodes Incorporated SaRonix-eCera™ FJ XO (Standard) 25MHz LVCMOS 1.8V ±25ppm
FJ2500036Z Diodes Incorporated SaRonix-eCera™ FJ XO (Standard) 25MHz LVCMOS 1.8V ±25ppm
FJ2500036Z Diodes Incorporated SaRonix-eCera™ FJ XO (Standard) 25MHz LVCMOS 1.8V ±25ppm

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采购:百利通亚陶晶振FJ,FJ2400011有源晶振

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Raltron晶振R2520,R2520-12.000-10-3030-TR贴片晶振
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麦特伦皮晶振M1252,M1252S039 16.000000贴片晶振
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艾尔晶振ELM10,ELM10-16.000MHz-8-R60-2-D20-T贴片晶振
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西迪斯晶振425,425F22A025M0000晶振
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泰艺晶振X3,X3AEEJNANF-30.000000石英晶振
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TATIEN晶振XI,XIHEELAANF-4.000000插件晶振
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CTS晶振ATSSM4P,4P036F35CDT无源晶振
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拉隆晶振H10S,H10S-6.000-20-3050-TR无源晶振
拉隆晶振H10S,H10S-6.000-20-3050-TR无源晶振
拉隆晶振H130A,H130A-12.000-8-TR贴片晶振
拉隆晶振H130A,H130A-12.000-8-TR贴片晶振
泰艺晶振TF,TFETBCJANF-25.000000晶振
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泰艺晶振PY,PYETGCJANF-12.000000石英晶振
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泰艺晶振PX,PXETGCJANF-20.000000有源晶振
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爱普生晶振,石英晶振,C-005R晶振,C-005R 32.7680K-AC:PBFREE
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