泰艺晶振TX,TXEABDSANF-32.000000晶振

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泰艺晶振TX,TXEABDSANF-32.000000晶振

频率：32MHZ

尺寸：3.2*2.5mm

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订购热线：0755-27838351

泰艺晶振TX,TXEABDSANF-32.000000晶振

项目	符号	规格说明	条件
输出频率范围	f0	32MHz	请联系我们以便获取其它可用频率的相关信息
电源电压	VCC	1.8-3.0V	请联系我们以了解更多相关信息
储存温度	T_stg	-55℃ to +125℃	裸存
工作温度	T_use	G: -40℃ to +85℃	请联系我们查看更多资料http://www.epsoncrystal.com
		H: -40℃ to +105℃
		J: -40℃ to +125℃
频率稳定度	f_tol	J: ±50 × 10-6
		L: ±100 × 10-6
		T: ±150 × 10-6
功耗	ICC	3.5 mA Max.	无负载条件、最大工作频率
待机电流	I_std	3.3μA Max.	ST=GND
占空比	SYM	45 % to 55 %	50 % VCC 极, L_CMOS≦15 pF
输出电压	VOH	VCC-0.4V Min.
输出电压	VOL	0.4 V Max.
输出负载条件	L_CMOS	15 pF Max.
输入电压	VIH	80% VCC Max.	ST 终端
输入电压	VIL	20 % VCC Max.	ST 终端
上升/下降时间	tr / tf	4 ns Max.	20 % VCC to 80 % VCC 极, L_CMOS=15 pF
振荡启动时间	t_str	3 ms Max.	t=0 at 90 %
频率老化	f_aging	±3 × 10-6 / year Max.	+25 ℃, 初年度,第一年

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TW 5032

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（1）线路连接的电阻（R）与晶体串联

（2）从起点到振荡的停止点调整R的值。

（3）振荡期间测量R的值。

（4）你将能够获得负电阻的值，|·R|= R +的Rr，和RR =晶振的阻力。

附：所连接的电路的杂散电容，可能会影响测定值。

如果泰艺有源晶振的参数是正常的，但它不工作稳步振荡电路中，我们将不得不找出IC的电阻值是否过低驱动电路。如果是这样的话，我们有三种方法来改善这样的情况：

降低外部电容（Cd和CG）的值，并采用其他石英晶振具有较低负载电容（CL）。

采用具有较低电阻（RR）的晶振。

使用光盘和CG的不等价的设计。我们可以增加镉（XOUT）的负载电容和降低CG（辛）的负载电容以提高从辛波形幅度将在其后端电路中使用的输出。

当有信号输出从XOUT但不辛，其表示后面的功耗的情况下 - 电极后端电路是极其巨大的。我们可以添加一个缓冲电路的输出和它的后电极之间，以驱动后端电路。

但1-5的方法上面提到的，你也可以按照步骤1-4-4的三种方法。如有不明白请联系我公司晶振的应用工程师和IC制造商寻求进一步的帮助，如果你的问题不能得到解决。系统无法运行，因为压电晶体没有足够的输出波形振幅。

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泰艺晶振电子自公司成立以来，秉持对环境保护承诺宣言：『还给后代一个干净的地球』，所有活动应遵从以下政策：

1. 晶振,石英晶体,有源晶振,压控晶振自设计阶段至成品完成后之服务即应考察该产品对环境产生之冲击，3225有源晶振避免使用会造成污染之原物料及制程；对污染之防治应从根源解决问题，以《不产生、不使用》为最高指导原则。

2.若无法避免需产生或使用时，应管制单位产生量及使用量，做持续性之追踪管制、改进并制定预防方案或是降低污染量，小型普通有源晶振水电等消耗性（能）资源使用，应从系统研究改善使用效率，以达成节约能源之目标。

泰艺晶振TX,TXEABDSANF-32.000000晶振

TAITIEN原厂代码	品牌	型号	类型	频率	输出	电压	频率稳定度
TXETBLSANF-26.000000	Taitien	TX	TCXO	26MHz	Clipped Sine Wave	2.8 V ~ 3.3 V	±1ppm
TXETALSANF-26.000000	Taitien	TX	TCXO	26MHz	Clipped Sine Wave	2.8 V ~ 3.3 V	±500ppb
TXEABDSANF-32.000000	Taitien	TX	VCTCXO	32MHz	Clipped Sine Wave	2.8 V ~ 3.3 V	±1ppm
TXEABLSANF-24.000000	Taitien	TX	VCTCXO	24MHz	Clipped Sine Wave	2.8 V ~ 3.3 V	±1ppm
TXEADLSANF-12.288000	Taitien	TX	VCTCXO	12.288MHz	Clipped Sine Wave	2.8 V ~ 3.3 V	±2.5ppm
TXEAADSANF-20.000000	Taitien	TX	VCTCXO	20MHz	Clipped Sine Wave	2.8 V ~ 3.3 V	±500ppb
	Taitien	TX	TCXO	25MHz	Clipped Sine Wave	2.8 V ~ 3.3 V	±2ppm
TXEACDSANF-12.288000	Taitien	TX	VCTCXO	12.288MHz	Clipped Sine Wave	2.8 V ~ 3.3 V	±2ppm
TXETBDSANF-26.000000	Taitien	TX	TCXO	26MHz	Clipped Sine Wave	2.8 V ~ 3.3 V	±1ppm
TXETBLSANF-40.000000	Taitien	TX	TCXO	40MHz	Clipped Sine Wave	2.8 V ~ 3.3 V	±1ppm
TXETDDSANF-30.000000	Taitien	TX	TCXO	30MHz	Clipped Sine Wave	2.8 V ~ 3.3 V	±2.5ppm
TXKTPCSANF-32.000000	Taitien	TX	TCXO	32MHz	Clipped Sine Wave	1.8V	±1.5ppm
TXEADCSANF-26.000000	Taitien	TX	VCTCXO	26MHz	Clipped Sine Wave	2.8 V ~ 3.3 V	±2.5ppm
TXEADDSANF-40.000000	Taitien	TX	VCTCXO	40MHz	Clipped Sine Wave	2.8 V ~ 3.3 V	±2.5ppm
TXETDDSANF-19.200000	Taitien	TX	TCXO	19.2MHz	Clipped Sine Wave	2.8 V ~ 3.3 V	±2.5ppm
TXKADCSANF-19.200000	Taitien	TX	VCTCXO	19.2MHz	Clipped Sine Wave	1.8V	±2.5ppm
TXKADCSANF-19.680000	Taitien	TX	VCTCXO	19.68MHz	Clipped Sine Wave	1.8V	±2.5ppm
TXKADCSANF-26.000000	Taitien	TX	VCTCXO	26MHz	Clipped Sine Wave	1.8V	±2.5ppm