频率:19.2MHZ
尺寸:3.2*2.5mm
CITIZEN进口低损耗晶振CSX-325T,CSX325T19.200M2-UT10贴片晶振,日本西铁城晶振公司,进口晶振,西铁城晶振,有源晶振,CSX-325T晶振,CSX325T19.200M2-UT10晶振,无线路由器晶振,石英晶振,金属面贴片有源儿童学习产品晶振,金属面晶振,贴片晶振,低损耗晶振,3225晶振,CSX325T16.000M3-UT10晶振,CSX325T33.600M3-UT10晶振,CSX325T26.000M2-UT10晶振
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西铁城晶振CSX-325T,CSX325T16.000M3-UT10贴片晶振
项目 |
符号 |
规格说明 |
条件 |
输出频率范围 |
f0 |
19.2MHZ |
请联系我们以便获取其它可用频率的相关信息 |
电源电压 |
VCC |
1.8-3.0V |
请联系我们以了解更多相关信息 |
储存温度 |
T_stg |
-40℃ to +85℃ |
裸存 |
工作温度 |
T_use |
G: -30℃ to +75℃ |
请联系我们查看更多资料http://www.epsoncrystal.com |
|
|||
|
|||
频率稳定度 |
f_tol |
J: ±50 × 10-6 |
|
L: ±100 × 10-6 |
|||
T: ±150 × 10-6 |
|||
功耗 |
ICC |
3.5 mA Max. |
无负载条件、最大工作频率 |
待机电流 |
I_std |
3.3μA Max. |
ST=GND |
占空比 |
SYM |
45 % to 55 % |
50 % VCC 极, L_CMOS≦15 pF |
输出电压 |
VOH |
VCC-0.4V Min. |
|
VOL |
0.4 V Max. |
|
|
输出负载条件 |
L_CMOS |
15 pF Max. |
|
输入电压 |
VIH |
80% VCC Max. |
ST 终端 |
VIL |
20 % VCC Max. |
||
上升/下降时间 |
tr / tf |
4 ns Max. |
20 % VCC to 80 % VCC 极, L_CMOS=15 pF |
振荡启动时间 |
t_str |
3 ms Max. |
t=0 at 90 % |
频率老化 |
f_aging |
±3 × 10-6 / year Max. |
+25 ℃, 初年度,第一年 |
CITIZEN进口低损耗晶振CSX-325T,CSX325T19.200M2-UT10贴片晶振
CITIZEN进口低损耗晶振CSX-325T,CSX325T19.200M2-UT10贴片晶振
石英晶振自动安装和真空化引发的冲击会破坏产品特性并影响这些产品。请设置安装条件以尽可能将冲击降至最低,并确保在安装前未对晶振特性产生影响。条件改变时,请重新检查安装条件。同时,在安装前后,请确保石英晶振产品未撞击机器或其他电路板等。
每个封装类型的注意事项
(1)陶瓷包装晶振与SON产品:在焊接陶瓷封装晶振和SON产品 (陶瓷包装是指晶振外观采用陶瓷制品) 之后,弯曲电路板会因机械应力而导致焊接部分剥落或封装分裂(开裂)。尤其在焊接这些产品之后进行电路板切割时,务必确保在应力较小的位置布局晶体并采用应力更小的切割方法。
(2)陶瓷包装石英晶振:在一个不同扩张系数电路板(环氧玻璃)上焊接陶瓷封装石英晶体时,在温度长时间重复变化时可能导致端子焊接部分发生断裂,请事先检查焊接特性。
(3)柱面式产品:产品的玻璃部分直接弯曲引脚或用力拉伸引脚会导致在引脚根部发生密封玻璃分裂(开裂),也可能导致气密性和产品特性受到破坏。当有源晶振的引脚需弯曲成下图所示形状时,应在这种场景下留出0.5mm的引脚并将其托住,以免发生分裂。当该引脚需修复时,请勿拉伸,托住弯曲部分进行修正。在该密封部分上施加一定压力,会导致气密性受到损坏。所以在此处请不要施加压力。另外,为避负机器共振造成引脚疲劳切断,建议用粘着剂将产品固在定电路板上。
CITIZEN进口低损耗晶振CSX-325T,CSX325T19.200M2-UT10贴片晶振
CITIZEN进口低损耗晶振CSX-325T,CSX325T19.200M2-UT10贴片晶振
西铁城晶振公司严格遵守国家有关工程建设法律、法规,不断提高员工的质量意识和能力,履行合约、信守承诺,坚持开拓创新,石英晶体振荡器不断提升企业的施工技术素质和质量管理水平,以科学学严密的施工管理和真诚的服务让业主高度满意。
西铁城晶振工厂、办公室节能、省资源、资源循环、化学物质的合理管理推动,地球温暖化防止及循环型社会的实现贡献。严格遵守国家职业安全健康法律、法规,培养员工的安全意识和能力,持续改进职业安全健康管理绩效,预先采取安全措施,消除或降低危险,优先选用安全系数高的材料、设备及工艺,提高事故预防水平,3225有源晶体创造良好的工作环境,保障员工的身心健康。
西铁城晶振公司环保环境与发展对策:实行可持续发展战略。采取有效措施,防治工业污染。提高能源利用效率,改善能源结构。西铁城晶振公司自觉遵守有关环境法律、法规,培养员工的环保意识和能力,持续改进环保绩效,有源贴片晶振优先使用环保型材料、设备及施工工艺,做到污染预防,最终创建具有环保、节能、适宜性特征的优质工程。
CITIZEN进口低损耗晶振CSX-325T,CSX325T19.200M2-UT10贴片晶振
西铁城晶振原厂代码
生产商品牌
参数
型号
类型
频率
输出
电压
频率稳定度
CSX325T13.000M2-UT10
西铁城晶振
OSC TCXO 13.000MHZ SMD
CSX-325T
TCXO
13MHz
-
1.8 V ~ 3 V
±2.5ppm
CSX325T13.000M2-UT10
西铁城晶振
OSC TCXO 13.000MHZ SMD
CSX-325T
TCXO
13MHz
-
1.8 V ~ 3 V
±2.5ppm
CSX325T13.000M2-UT10
西铁城晶振
OSC TCXO 13.000MHZ SMD
CSX-325T
TCXO
13MHz
-
1.8 V ~ 3 V
±2.5ppm
CSX325T13.000M3-UT10
西铁城晶振
OSC TCXO 13.000MHZ SMD
CSX-325T
TCXO
13MHz
-
1.8 V ~ 3 V
±2.5ppm
CSX325T13.000M3-UT10
西铁城晶振
OSC TCXO 13.000MHZ SMD
CSX-325T
TCXO
13MHz
-
1.8 V ~ 3 V
±2.5ppm
CSX325T13.000M3-UT10
西铁城晶振
OSC TCXO 13.000MHZ SMD
CSX-325T
TCXO
13MHz
-
1.8 V ~ 3 V
±2.5ppm
CSX325T16.000M2-UT10
西铁城晶振
OSC TCXO 16.000MHZ SMD
CSX-325T
TCXO
16MHz
-
1.8 V ~ 3 V
±2.5ppm
CSX325T16.000M2-UT10
西铁城晶振
OSC TCXO 16.000MHZ SMD
CSX-325T
TCXO
16MHz
-
1.8 V ~ 3 V
±2.5ppm
CSX325T16.000M2-UT10
西铁城晶振
OSC TCXO 16.000MHZ SMD
CSX-325T
TCXO
16MHz
-
1.8 V ~ 3 V
±2.5ppm
CSX325T16.000M3-UT10
西铁城晶振
OSC TCXO 16.000MHZ SMD
CSX-325T
TCXO
16MHz
-
1.8 V ~ 3 V
±2.5ppm
CSX325T16.000M3-UT10
西铁城晶振
OSC TCXO 16.000MHZ SMD
CSX-325T
TCXO
16MHz
-
1.8 V ~ 3 V
±2.5ppm
CSX325T16.000M3-UT10
西铁城晶振
OSC TCXO 16.000MHZ SMD
CSX-325T
TCXO
16MHz
-
1.8 V ~ 3 V
±2.5ppm
CSX325T19.200M2-UT10
西铁城晶振
OSCILLATOR TCXO 19.2MHZ SMD
CSX-325T
TCXO
19.2MHz
-
1.8 V ~ 3 V
±2.5ppm
CSX325T19.200M2-UT10
西铁城晶振
OSCILLATOR TCXO 19.2MHZ SMD
CSX-325T
TCXO
19.2MHz
-
1.8 V ~ 3 V
±2.5ppm
CSX325T19.200M2-UT10
西铁城晶振
OSCILLATOR TCXO 19.2MHZ SMD
CSX-325T
TCXO
19.2MHz
-
1.8 V ~ 3 V
±2.5ppm
CSX325T19.200M3-UT10
西铁城晶振
OSCILLATOR TCXO 19.2MHZ SMD
CSX-325T
TCXO
19.2MHz
-
1.8 V ~ 3 V
±2.5ppm
CSX325T19.200M3-UT10
西铁城晶振
OSCILLATOR TCXO 19.2MHZ SMD
CSX-325T
TCXO
19.2MHz
-
1.8 V ~ 3 V
±2.5ppm
CSX325T19.200M3-UT10
西铁城晶振
OSCILLATOR TCXO 19.2MHZ SMD
CSX-325T
TCXO
19.2MHz
-
1.8 V ~ 3 V
±2.5ppm
CSX325T26.000M2-UT10
西铁城晶振
OSC TCXO 26.000MHZ SMD
CSX-325T
TCXO
26MHz
-
1.8 V ~ 3 V
±2.5ppm
CSX325T26.000M2-UT10
西铁城晶振
OSC TCXO 26.000MHZ SMD
CSX-325T
TCXO
26MHz
-
1.8 V ~ 3 V
±2.5ppm
CSX325T26.000M2-UT10
西铁城晶振
OSC TCXO 26.000MHZ SMD
CSX-325T
TCXO
26MHz
-
1.8 V ~ 3 V
±2.5ppm
CSX325T26.000M3-UT10
西铁城晶振
OSC TCXO 26.000MHZ SMD
CSX-325T
TCXO
26MHz
-
1.8 V ~ 3 V
±2.5ppm
CSX325T26.000M3-UT10
西铁城晶振
OSC TCXO 26.000MHZ SMD
CSX-325T
TCXO
26MHz
-
1.8 V ~ 3 V
±2.5ppm
CSX325T26.000M3-UT10
西铁城晶振
OSC TCXO 26.000MHZ SMD
CSX-325T
TCXO
26MHz
-
1.8 V ~ 3 V
±2.5ppm